1、超高精度和穩定性,,來源于高穩定激光光源、溫度穩定補償器設置、起偏器跟蹤和超低噪聲探測器。
2、高精度樣品校準,使用光學自動對準鏡和顯微鏡。
3、快速簡易測量,可選擇不同的應用模型和入射角度。
4、多角度測量,可支持復雜應用和精確厚度。
5、全面預設應用,包含微電子、光電、磁存儲、生命科學等領域。
2、高精度樣品校準,使用光學自動對準鏡和顯微鏡。
3、快速簡易測量,可選擇不同的應用模型和入射角度。
4、多角度測量,可支持復雜應用和精確厚度。
5、全面預設應用,包含微電子、光電、磁存儲、生命科學等領域。
全面預設應用,包含微電子、光電、磁存儲、生命科學等領域。
1、波長:632.8nm氦氖激光器。
2、長期穩定性:d(y)=±0.01°;d(D)=±0.1°。
3、折射率測量精度:5×10^-4for 100nm SiO2 on Si。
4、弱吸光性薄膜厚度范圍(多晶硅):2μm。
5、測量時間:120ms~1.5s(決定于測量方式)。
6、入射角:手動角度計40°~90°,步進值5°。
7、選項:360°旋轉單元;真空吸盤;x-y地形圖掃描載物臺。
8、90°位置時y,D精度:d(y)=±0.002°;d(D)=±0.002°。
9、膜厚測量精度:0.1? for 100nm SiO2 on Si。
10、透明薄膜的厚度范圍:4μm。
11、膜層數量默認:在基底或多層膜上的1-3層膜。
12、激光束直徑:1mm。
13、樣品載物臺:可調節高度和角度的樣品臺,150mm直徑。
14、設置:高穩定性補償器,可得到0°和180°附近D的高精確度電腦控制的起偏器,定位/探測,自動校準高穩定旋轉分析器。
2、長期穩定性:d(y)=±0.01°;d(D)=±0.1°。
3、折射率測量精度:5×10^-4for 100nm SiO2 on Si。
4、弱吸光性薄膜厚度范圍(多晶硅):2μm。
5、測量時間:120ms~1.5s(決定于測量方式)。
6、入射角:手動角度計40°~90°,步進值5°。
7、選項:360°旋轉單元;真空吸盤;x-y地形圖掃描載物臺。
8、90°位置時y,D精度:d(y)=±0.002°;d(D)=±0.002°。
9、膜厚測量精度:0.1? for 100nm SiO2 on Si。
10、透明薄膜的厚度范圍:4μm。
11、膜層數量默認:在基底或多層膜上的1-3層膜。
12、激光束直徑:1mm。
13、樣品載物臺:可調節高度和角度的樣品臺,150mm直徑。
14、設置:高穩定性補償器,可得到0°和180°附近D的高精確度電腦控制的起偏器,定位/探測,自動校準高穩定旋轉分析器。