thermocera納米CVD石墨烯/碳納米管合成器
? 型號。 納米CVD-8G(用于石墨烯合成)
?型號。 納米CVD-8N(用于碳納米管)
每批僅需 1 分鐘,可輕松合成高質量石墨烯和碳納米管
CVD(化學氣相沉積)
CVD法是一種穩定的技術,已經建立了多種用途,它是未來大規模合成石墨烯和碳納米管的最現實的方法,因此我們在這臺機器中采用了CVD方法。 制造商Moorfield與英國國家研究所合作,多次驗證了這種薄膜沉積實驗裝置。 在與研究機構的合作下,已經驗證了使用拉曼光譜,SEM,AFM等分析數據可以制備高質量的石墨烯和CNT樣品。
冷壁CVD
采用冷壁/高溫樣品加熱臺(熱板),反應快,重現性好。 設備小型化,加工時間縮短,可操作性強,可創建并存儲30種合成配方。 除了標準系統配置外,還可以根據要求定制設備配置。 nanoCVD系統是一種實驗裝置,盡管體積小,但具有為基礎研究和開發領域做出貢獻的無限潛力。
特征
無需使用大型設備即可輕松進行石墨烯碳納米管 (SWNT) 沉積實驗
1批次只需30分鐘!
冷壁式高效高精度過程控制
快速升溫:室溫→1100°C約3分鐘
高性能機器,具有高精度的溫度流量控制和出色的可重復性
操作簡單! 通過 5 英寸觸摸屏進行操作和配方管理
最多可創建和保存 30 個配方和 30 步合成程序。
標配專用軟件,數據記錄為輸出PC上的CSV文件
USB電纜連接,PC端的配方創建→上傳到設備
主要規格
A. 主要規格
1. 反應室 | 不銹鋼SUS304泄漏檢查 |
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2. 加熱階段 | 陶瓷 |
3. 兼容的樣本量 | 20 x 40毫米 |
4. 加熱加熱器 | 高純石墨加熱器MAX1050°C |
5. 溫度控制 | 包括K型熱電偶標準(安裝在加熱臺下方) |
B. 過程控制設備規格
1. 氣體控制 | 質量流量控制器 x 3 (Ar, H2, CH4) |
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2. 壓力控制 | 20托爾· |
3. 真空抽真空 | 包括愛德華茲旋轉泵RV3(3?/小時) |
4. 操作面板 | 前置式 5 英寸觸摸屏 (歐姆龍) |
5. 風冷 | 通過冷卻風扇對外殼進行內部冷卻 |
6. 控制系統 | PLC自動過程控制 |
C. 軟件(包括標準)
1. 納米CVD軟件 | 包括標準(安裝石墨烯的標準程序) |
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2. 界面 | USB 2.0 連接 |
3. 設置次數 | 最多可以創建和保存 30 個配方和 30 個步驟 |
D. 氣體引入連接規格
1. 工藝氣體 | 2 x 4/1 英寸世偉洛克卡套管連接,用于 Ar、H4、CH3 |
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2. 載氣 | N2 或 AR φ6mm 推鎖管連接 x 1 |
E. 安全裝置
1. 過熱 | 由安裝在加熱臺上的熱電偶控制 |
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2. 外殼內部過熱 | 從內部溫度開關 |
3. 氣壓異常 | 從質量流量控制器 |
4. 真空減少 | 從真空傳感器 |
F. 公用事業
權力 | AC200V 單相 50/60Hz 13A |
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1. 工藝氣體壓力 | 最大 30psi 200sccm |
2. 載氣壓力 | 60-80磅/平方英寸 |
G. 尺寸和重量
1. 尺寸 | 405毫米(寬) x 415毫米(深) x 280毫米(高) |
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2. 重量 | 約27公斤 |