石墨烯CVD制備設(shè)備
這款配置的低真空CVD系統(tǒng)由1200℃真空管式爐,3通道氣路系統(tǒng)和真空系統(tǒng)組成,可根據(jù)用戶(hù)需要設(shè)計(jì)生產(chǎn)有雙溫區(qū)、三溫區(qū)、多溫區(qū)),石墨烯CVD制備設(shè)備可預(yù)抽真空(有高真空、低真空),通多種氣氛(供氣系統(tǒng)有質(zhì)子流量控制器和浮子流量控制器〕。真空泵、閥均釆用進(jìn)口設(shè)備,性能可靠。控制電躋選用模糊PD程控技術(shù),石墨烯CVD制備設(shè)備具有控溫精度髙,溫沖幅度小,性能可靠,簡(jiǎn)單易操作等特點(diǎn)。CVD生長(zhǎng)系統(tǒng)適用于CVD工藝,如碳化硅鍍膜、陶片導(dǎo)電率測(cè)試、ZnO納米結(jié)構(gòu)的可控生長(zhǎng)、陶瓷電容(MLCC)氣氛燒結(jié)等。
石墨烯CVD制備設(shè)備技術(shù)參數(shù):
1200雙溫區(qū)加熱爐
電壓 AC220V 50/60Hz
功率 4.5KW 雙溫控
Max溫度 1150 °C
工作溫度 ≤ 1100 °C
升溫速率 ≤ 15°C/min
溫控系統(tǒng) PID自動(dòng)控制晶閘管(可控硅)輸出功率,30段可編程控制器
恒溫精度 ±1°C
石英管 25/50/60/80*1400mm
三路質(zhì)量流量控制系統(tǒng)
MAX電壓 185~245V/50Hz
MAX輸出功率 18W
流量計(jì)標(biāo)準(zhǔn)量程 50,100,200,500SCCM(非特殊以氮?dú)鈽?biāo)定,量程可選定)
工作溫度 5~45 °C
工作壓差 0.1~0.5 MPa
MAX壓力 3MPa
準(zhǔn)確度 ±1.5%FS
低真空系統(tǒng)
采用雙極旋片真空泵
不銹鋼充油真空壓力表,良好的抗震性
安裝過(guò)濾器
內(nèi)置測(cè)溫系統(tǒng)
測(cè)溫元件可從加熱區(qū)邊緣延申至溫區(qū)中心法蘭密封,保證爐管的密封性測(cè)溫元件,N型熱電偶
法蘭及支撐
304不銹鋼快速水冷法蘭,長(zhǎng)期水冷無(wú)腐蝕,一個(gè)卡箍就能完成法蘭的連接,放取物料方便快捷可調(diào)節(jié)法蘭的支撐,平衡爐管的受力支撐。包含進(jìn)氣,出氣,真空抽口針閥,KF密封圈及卡箍組合,4個(gè)密封硅膠圈等。
石墨烯CVD制備設(shè)備可選配件
混氣系統(tǒng),中,高真空系統(tǒng),各種剛玉坩堝,石英管,計(jì)算機(jī)控制軟件,無(wú)紙記錄儀,氧含量分析儀,冷卻水循環(huán)機(jī)。