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BSO,F(xiàn)e:LiNbO3,SBN,BGO晶體

參考價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱深圳維爾克斯光電有限公司
  • 品       牌
  • 型       號(hào)
  • 所  在  地
  • 廠商性質(zhì)其他
  • 更新時(shí)間2024/2/29 16:22:24
  • 訪問次數(shù)169
產(chǎn)品標(biāo)簽:

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深圳維爾克斯光電有限公司是的進(jìn)口光電代理商,代理的激光、光電、光機(jī)械類產(chǎn)品,應(yīng)用涵蓋物理與光學(xué)、化學(xué)、材料、生命科學(xué)等領(lǐng)域。我們與國(guó)內(nèi)各大高校、研究所、激光設(shè)備公司和及精密儀器公司保持著緊密的聯(lián)系,提供針對(duì)不同應(yīng)用的專業(yè)技術(shù)支持。 維爾克斯光電在衍射光學(xué)、微光學(xué)、太赫茲元件、、光束分析儀、太陽光模擬器、顯微鏡載物臺(tái)、紅外熱像儀、電控平移臺(tái)、紅外探測(cè)器、光學(xué)儀器等領(lǐng)域具有多年的產(chǎn)品和技術(shù)積累,能夠?yàn)橛脩籼峁└鞣N高性價(jià)比的解決方案。
optogama主要提供BSO,F(xiàn)e:LiNbO 3,SBN和BGO這四種光折變晶體,光折變效應(yīng)是通過光強(qiáng)度的空間變化來改變局部折射率的現(xiàn)象。觀察到相干光在光折射材料中相互干擾時(shí)會(huì)形成空間變化的照明模式。該效果可用于存儲(chǔ)臨時(shí)的可擦除全息圖,也稱為全息數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。它也可以用于創(chuàng)建相位共軛鏡或光學(xué)空間孤子。
BSO,F(xiàn)e:LiNbO3,SBN,BGO晶體 產(chǎn)品信息

BSO晶體、Fe:LiNbO 3晶體、SBN晶體、BGO晶體

 

Optogama提供4Lasers品牌的BSOFeLiNbO3SBNBGO晶體主要用于開發(fā)光折變效應(yīng)的應(yīng)用。光折變效應(yīng)是一種通過光強(qiáng)的空間變化來改變局部折射率的現(xiàn)象。在光折變材料中,當(dāng)相干光相互干擾時(shí)觀察到,光折變材料形成了空間變化的照明模式。這種效果可以用來存儲(chǔ)臨時(shí)的、可擦除的全息圖,也稱為全息數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。它也可以用來制造相位共軛鏡或光學(xué)空間孤子。

硅酸鉍(Bi)12SiO20bso)晶體是一種高效率的光導(dǎo)材料,暗導(dǎo)率低,允許大量的光誘導(dǎo)空間電荷的積累。巨大的光電導(dǎo)性和電光特性提高了BSO晶體的應(yīng)用范圍:空間光調(diào)制器、光開關(guān)、相位共軛混合器。Optogama用改進(jìn)的Czochralski法生長(zhǎng)了BSO晶體,其孔徑可達(dá)3英寸。

鈮酸鋰(LiNbO)3摻雜鐵(FeLiNbO)LN晶體3)具有高的光折變靈敏度、高的電光系數(shù)和衍射效率、化學(xué)力學(xué)性能,是一種很有吸引力的光折變材料。FeLiNbO3晶體采用Czochralsky法生長(zhǎng),尺寸大。廣泛的可用摻雜劑和水平可以調(diào)整特定應(yīng)用的材料性能。更重要的是,FeLinbo3晶體操作方便,成本低,適合批量生產(chǎn)。

SBN晶體晶體具有優(yōu)良的光學(xué)和光折變性能。它們表面上是純的,被CeCrCoFe摻雜。不同成分的SBN晶體在電光、聲光、光折變、非線性光學(xué)等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。包裹體和其它非均勻性SBN晶體,采用改進(jìn)的Stepanov法生長(zhǎng),線性尺寸可達(dá)40 mm

鍺酸鉍(Bi12GeO20BGO)晶體是具有低暗電導(dǎo)率的高效光電導(dǎo)體,可以積累大量光致空間電荷。

 

硅酸鉍晶體主要特點(diǎn):

-高電光系數(shù)(r41=5pm/v)

-高相位共軛效率

-可在3“以下的大尺寸元件或晶片中使用。

-可根據(jù)要求定制

 

BSO晶體主要應(yīng)用:

       -空間光調(diào)制器

-光開關(guān)

-相位共軛混合器。

 

BSO晶體的技術(shù)特性:

化學(xué)公式

Bi12SiO20

晶體結(jié)構(gòu)

立方體,點(diǎn)編組23

晶格參數(shù)

10.10 a

密度

9.2/cm3

Mohs硬度

5

透明度范圍

0.45-6μm

折射率

2.5

光學(xué)活性

42deg/mm

電光系數(shù)

r41 = 5 pm/V

介電常數(shù)(低頻)

56

暗電阻

1014 Ohm cm

 

BSO晶體的產(chǎn)品規(guī)格:

透明孔徑

85 %

面尺寸公差

+0/-0.2毫米

厚度公差

±0.2毫米

平行度誤差

<30 arcsec

保護(hù)槽

<0.3 mm at 45°

表面質(zhì)量

40-20 S-D

波前畸變

<λ/4@6328 nm

涂層

無涂層

 

硅酸鉍晶體產(chǎn)品型號(hào)

SKU

面尺寸

厚度

定向

價(jià)格(RMB

1558

30×30毫米

1.0毫米

[110]

5500

6880

20x20毫米

1.0毫米

[110]

4500

6881

20x20毫米

1.0毫米

[100]

4500

6882

10x10毫米

5毫米

[110]

6500

6883

10x10毫米

5毫米

[100]

6500

6884

5x5毫米

5毫米

[110]

4800

6885

5x5毫米

5毫米

[100]

4900

9095

30×30毫米

1.5毫米

[110]

5600

 

鈮酸鋰晶體主要特點(diǎn):

-高電光系數(shù)(r41=5pm/v)

-高相位共軛效率

-可在3“以下的大尺寸元件或晶片中使用。

-可根據(jù)要求定制

LiNbO3晶體的主要應(yīng)用:

-空間光調(diào)制器

-光開關(guān)

-全息記錄

-光波導(dǎo)

 

LiNbO3晶體技術(shù)特性:

化學(xué)公式

FeLiNbO3

晶體結(jié)構(gòu)

三角形,3m

密度

4.64/cm3

Mohs硬度

5

透明度范圍

0.35-5.5μm

折射率@063μm

ne = 2.20, no = 2,29

電光系數(shù)

r22 = 6,8 pm/V,r31 = 10 pm/V,r33 = 32 pm/V

介電常數(shù)

e11 = 85,e33 = 30

 

鈮酸鋰晶體產(chǎn)品規(guī)格:

Fe2O3

0.1 mol. %0.05 mol. %0.03 mol. %0.02 mol. %

定向

90°切割(X-切割,Y-切割)

透明孔徑

85 %

面尺寸公差

+0/-0.2毫米

厚度公差

±0.2毫米

平行度誤差

<3 arcmin

保護(hù)槽

<0.3 mm at 45°

表面質(zhì)量

20-10 S-D

波前畸變

<λ/4@6328 nm

涂層

無,可根據(jù)要求提供抗反射或銦錫氧化物涂層

電極

無,可根據(jù)要求提供

 

鈮酸鋰晶體產(chǎn)品型號(hào):

SKU

面尺寸

長(zhǎng)度

摻雜水平

價(jià)格(RMB

4052

10x10毫米

5毫米

005%Fe2O3

請(qǐng)求

6457

10x10毫米

5毫米

002%Fe2O3

請(qǐng)求

6458

10x10毫米

5毫米

003%Fe2O3

請(qǐng)求

7005

10x10毫米

5毫米

01%Fe2O3

請(qǐng)求

7006

10x10毫米

1毫米

002%Fe2O3

4000

7007

10x10毫米

1毫米

003%Fe2O3

4000

7008

10x10毫米

1毫米

005%Fe2O3

4000

7009

10x10毫米

1毫米

01%Fe2O3

4000

7010

20x20毫米

1毫米

002%Fe2O3

請(qǐng)求

7011

20x20毫米

1毫米

003%Fe2O3

請(qǐng)求

7012

20x20毫米

1毫米

005%Fe2O3

請(qǐng)求

7013

20x20毫米

1毫米

01%Fe2O3

請(qǐng)求

 

 

SBN晶體的主要特點(diǎn):

-Ce,CrCoFe純摻雜

-有效相位共軛

-定制尺寸,摻雜水平,無極化,減反射涂層和沒有電極晶體可根據(jù)要求

 

SBN晶體的主要應(yīng)用:

-光學(xué)信息記錄

-熱釋電探測(cè)器

-自泵浦自共軛鏡

-光學(xué)相關(guān)器

 

SBN晶體的技術(shù)特性:

構(gòu)圖

SBN61

SBN75

晶體結(jié)構(gòu)

四邊形,4毫米

四邊形,4毫米

晶格參數(shù)

a = 12,46 ?, c = 3,946 ?

a = 12,43024 ?, c = 3,91341 ?

密度

5,4 g/cm3

5,4 g/cm3

Mohs硬度

5.5

5.5

熔化溫度

1480°C

1480°C

居里溫度

75°C

56℃

透光度范圍

0.45-5.5μm

0.4-5.5μm

折射率@633 nm

no = 2.3103,ne = 2.2817

no = 2.3117,ne = 2.2987

Δn@633 nm

-0.0286

-0.0130

傳動(dòng)

0.45-5.5μm

0.4-5.5μm

半波電壓(λ/2)

240 V

60V

介電常數(shù)(T=293 K)

900

340

電光系數(shù)

R13=45 pm/V,R33=250 pm/V

R13=65 pm/V,R33=740 pm/V,r42=40 pm/V

熱釋電系數(shù)

0.065μC×cm-2×K-1

0.28μC×cm-2×K-1

介電常數(shù)

880

3400

 

SBN晶體的產(chǎn)品規(guī)格:

定向

沿四方軸的短邊

波林

極化

電極

碳水電極

透明孔徑

85%

面尺寸公差

+0/-0.2毫米

厚度公差

±0.2毫米

平行度誤差

<30 arcsec

保護(hù)槽

<0.1 mm at 45°

表面質(zhì)量

20-10 S-D通過透明光圈,60-40 S-D其他表面

表面平整度

<λ/4@6328 nm

涂層

無涂層

 

SBN晶體的產(chǎn)品型號(hào):

SKU

材料

面尺寸

長(zhǎng)度

摻雜

價(jià)格(RMB)

6940

SBN61

5x5毫米

5毫米

CeO 2 0002 wt%

15000

6941

SBN61

5x5毫米

10毫米

CeO 2 0002 wt%

18500

6942

SBN61

5x5毫米

15毫米

CeO 2 0002 wt%

24000

6943

SBN61

5x5毫米

20毫米

CeO 2 0002 wt%

30000

6944

SBN61

5x5毫米

5毫米

CeO 2 001 wt%

15000

6945

SBN61

5x5毫米

10毫米

CeO 2 001 wt%

18800

6946

SBN61

5x5毫米

15毫米

CeO 2 001 wt%

22000

6947

SBN61

5x5毫米

20毫米

CeO 2 001 wt%

30000

6948

SBN61

5x5毫米

5毫米

CeO 2 01 wt%

15000

6949

SBN61

5x5毫米

10毫米

CeO 2 01 wt%

18500

6950

SBN61

5x5毫米

15毫米

CeO 2 01 wt%

24000

6951

SBN61

5x5毫米

20毫米

CeO 2 01 wt%

30000

73

SBN61

5x5毫米

5毫米

未摻雜

15000

74

SBN61

5x5毫米

10毫米

未摻雜

18500

75

SBN61

5x5毫米

15毫米

未摻雜

24000

76

SBN61

5x5毫米

20毫米

未摻雜

30000

 

BGO晶體的主要特點(diǎn):

-高電光系數(shù)(r41=35 pm/v)

-低暗電導(dǎo)

-大尺寸元件或晶片最多可達(dá)3

-可根據(jù)要求定制

 

BGO晶體的主要應(yīng)用:

-空間光調(diào)制器

-光開關(guān)

-光學(xué)相關(guān)器

 

BGO晶體的技術(shù)特性:

化學(xué)公式

Bi12GeO20

晶體結(jié)構(gòu)

立方體,點(diǎn)編組23

晶格參數(shù)

10.15 a

密度

9.2/cm3

傳輸范圍

0.45-7

折射率@0.63m

2,55

光學(xué)活性@500 nm

41.5/毫米

電光系數(shù)r41

3.5 pm/V

介電常數(shù)

40

暗電阻

1014 Ohm cm

 

BGO晶體的產(chǎn)品規(guī)格:

透明孔徑

85%

面尺寸公差

+0/-0.2毫米

厚度公差

±0.2毫米

平行度誤差

<30 arcsec

保護(hù)槽

<0.3 mm at 45°

表面質(zhì)量

40-20 S-D

波前畸變

<λ/4@6328 nm

涂層

無涂層

 

BGO晶體的產(chǎn)品型號(hào):

SKU

面尺寸

長(zhǎng)度

定向

價(jià)格(RMB)

6868

5x5毫米

5毫米

[110]

5600

6871

5x5毫米

5毫米

[100]

5600

6872

10x10毫米

5毫米

[110]

8500

6873

10x10毫米

5毫米

[100]

8500

6874

20x20毫米

1毫米

[110]

5000

6875

20x20毫米

1毫米

[100]

5000

6876

30×30毫米

1毫米

[110],邊與<001>平面±2deg平行

6000

6877

30×30毫米

15毫米

[110]

6000


15168338725
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