一、EDI超純水設(shè)備：
EDI超純水設(shè)備是應用有反滲透系統(tǒng)之后，取代混合離子交換床的成熟技術(shù)具有產(chǎn)水品質(zhì)穩(wěn)定，運行費用低，操作管理方便。占地面積小及無有害廢水排放等優(yōu)點。超純水制備工藝的發(fā)展方向，已被主要水處理工程公司所認證。自1986年EDI技術(shù)工業(yè)化以來，其在制藥、半導體、電力和光電等工業(yè)中得到了非常廣泛的應用。
二、EDI超純水設(shè)備9大優(yōu)點：
①、連續(xù)產(chǎn)出超純水，出水水質(zhì)具有的穩(wěn)定度(18 MΩ·cm)，以高產(chǎn)率產(chǎn)生超純水(產(chǎn)率可以高達95%);
②、模塊化生產(chǎn)，實現(xiàn)設(shè)備的全自動控制;
③、不需要酸堿再生，不會因為再生而停機;
④、不需要酸堿稀釋運輸設(shè)施和酸堿儲備;
⑤、設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊，體積小，占地面積少;
⑥、使用安全可靠，避免人工接觸酸堿;
⑦、節(jié)省了反沖和清洗用水，無再生污水，不須污水處理設(shè)備;
⑧、安裝簡單方便，安裝費用低廉;減低設(shè)備的運行成本及維修成本;
⑨、設(shè)備運行操作簡單，勞動強度較低；
三、EDI超純水設(shè)備設(shè)計工藝：
| 設(shè)計工藝 | 產(chǎn)水水質(zhì) | 特點/優(yōu)略 |
| 預處理+二級RO＋EDI系統(tǒng) | 電阻率≥15MΩ·cm | 適合：對電阻率要求穩(wěn)定在15兆歐以上的超純水； 優(yōu)點：產(chǎn)水質(zhì)穩(wěn)定性高、EDI壽命較長 缺點：投入成本高、耗能多 |
| 預處理+二級RO＋EDI+拋光系統(tǒng) | 電阻率≥18MΩ·cm | 適合：對電阻率要求穩(wěn)定在18兆歐以上的超純水； 優(yōu)點：產(chǎn)水質(zhì)穩(wěn)定性高、EDI壽命較長 缺點：投入成本高、耗能多 |
四、EDI超純水設(shè)備_性能保證：
1．性能保證基礎(chǔ)
賣方在完成系統(tǒng)安裝調(diào)試后，將在買方的監(jiān)督下，按系統(tǒng)要求的程序進行試運轉(zhuǎn)，由賣方的人員進行操作并進行所必要的試驗來證明設(shè)備情況良好，且符合合同中的要求，在試驗后設(shè)備即可交付買方作正常運行用。整個系統(tǒng)及設(shè)備的性能測試應在安裝結(jié)束后進行，測試結(jié)果應滿足本合同中所述技術(shù)要求。
2．性能保證_系統(tǒng)出水量及水質(zhì)
① 預處理（含原水泵、多介質(zhì)過濾器、活性碳過濾器）
(a) 總流量：1.0T/H
(b)SDI≤4
②一級RO裝置
(a) 1RO流量：0.5T/H
(b)回收率：70%~75%
(c)電導率：≤10μs/cm（常溫下25°C）
③二級RO裝置
(a) 2RO流量：0.25T/H
(b)回收率：80%~85%
(c) 電導率：≤5μs/cm（常溫下25°C）
④ EDI裝置
(a)EDI流量：0.25T/H
(b)EDI電阻率：≥15MΩ·cm（常溫下25°C）
④ 拋光裝置
(a)拋光流量：0.25T/H
(b)拋光電阻率：≥18MΩ·cm（常溫下25°C）
⑥出水水質(zhì)
根據(jù)貴公司出水要求作為衡量測試標準，以電阻率儀表讀數(shù)為準。如果在試運行期間，碰到原水水質(zhì)有較大范圍的變化，賣方應提供期望的水質(zhì)計算，以便證明系統(tǒng)的設(shè)計是正確的，如果運行證明能滿足其出水要求，則認為已經(jīng)完成試運行。
五、EDI超純水設(shè)備工藝流程圖：
六、EDI超純水設(shè)備適用行業(yè)：
①、超純材料和超純試劑的生產(chǎn)和清洗
②、電子產(chǎn)品的生產(chǎn)和清洗
③、電池產(chǎn)品的生產(chǎn)
④、半導體產(chǎn)品的生產(chǎn)和清洗
⑤、電路板的生產(chǎn)和清洗
⑥、其他行業(yè)產(chǎn)品生產(chǎn)用超純水
