低溫等離子簡介
本工藝有40支至240支充有特殊氣體的無極管組成的低溫等離子體激發區,低溫等離子體區是工藝的核心技術,國外諸多科研機構室稱在常壓下實現低溫等離子體。從大量的試驗分析,常壓低溫等離子體要在工業中應用存在的困難仍舊很大,本工藝借助低氣壓的無極燈作為低溫等離子體的激發體,限度地在無極管區實現低溫等離子體區,由于低溫等離子體在能量躍遷過程中具有的能量平衡性,在粒子撞擊中失能極少,所以低溫等離子體作為原子激發是的一種能。在實踐應用中,的科題在于低氣壓究竟是多少帕?管內充什么樣的氣體經濟價值?這沒有理論模型可言,只有通過實踐、實驗、分析。化工藝集低溫等離子體、微波放電、極板放電與一體,在實際使用中實現廢氣的有效處理是極為復雜的過程,整個過程在不到1秒的時間內完成。從理論到模型都能探究到相關的機理,通過三種方式的集中放電,廢氣分子從低能的E,在千分之一秒的時間內躍遷到足以使其電離的Em級,廢氣分子鍵充分斷裂,在雪崩式的撞擊中斷裂后的粒子由于質量更小,被進一步躍遷,與反應堆內的氧離子氫氧根離子發生反應,生成無害無味的CO2、H2O以及其它高價化合物。同時由于反應堆內臭氧以及紫外線的作用,去除不同范疇的廢氣化合物,實地較為廣譜的去除空間。
低溫等離子體去除污染物的機理:
等離子體化學反應過程中,等離子體傳遞化學能量的反應過程中能量的傳遞大致如下:
(1) 電場+電子→高能電子
(2) 高能電子+分子(或原子)→(受激原子、受激基團、游離基團) 活性基 團
(3) 活性基團+分子(原子)→生成物+熱
(4) 活性基團+活性基團→生成物+熱
從以上過程可以看出,電子首先從電場獲得能量,通過激發或電離將能量轉移到分子或原子中去,獲得能量的分子或原子被激發,同時有部分分子被電離,從而成為活性基團;之后這些活性基團與分子或原子、活性基團與活性基團之間相互碰撞后生成穩定產物和熱。另外,高能電子也能被鹵素和氧氣等電子親和力較強的物質俘獲,成為負離子。這類負離子具有很好的化學活性,在化學反應中起著重要的作用。
低溫等離子體去除污染物的原理:
低溫等離子體技術處理污染物的原理為:在外加電場的作用下,介質放電產生的大量攜能電子轟擊污染物分子,使其電離、解離和激發,然后便引發了一系列復雜的物理、化學反應,使復雜大分子污染物轉變為簡單小分子安全物質,或使有毒有害物質轉變成無毒無害或低毒低害的物質,從而使污染物得以降解去除。因其電離后產生的電子平均能量在10ev ,適當控制反應條件可以實現一般情況下難以實現或速度很慢的化學反應變得十分快速。作為環境污染處理領域中的一項具有潛在優勢的,等離子體受到了國內外相關學科界的高度關注。
技術參數:
序號 | 設備型號 | 處理風量(m3/h) | 設備尺寸mm | 風口mm | 功率/電壓 | 風阻pa |
1 | LSD-B-1# | 1000 | 850×500×670 | 450×400 | 1.28kw/220v | <100 |
2 | LSD -B-3# | 3000 | 1000×1060×1200 | 950×750 | 1.6kw/380v | <100 |
3 | LSD -B-5# | 5000 | 1000×1060×1200 | 950×750 | 2.4kw/380v | <100 |
4 | LSD -B-7.5# | 7500 | 1600×1060×1200 | 950×750 | 3.2kw/380v | <100 |
5 | LSD -B-10# | 10000 | 1600×1060×1200 | 950×750 | 4.8kw/380v | <100 |
6 | LSD -B-12.5# | 12500 | 1600×1060×1200 | 950×750 | 7.5kw/380v | <100 |
7 | LSD -B-15# | 15000 | 1160×1060×1800 | 800×400 | 12.8kw/380v | <100 |
8 | LSD -B-20# | 20000 | 1560×1900×2280 | 1400×700 | 22kw/380v | <100 |
9 | LSD -B-30# | 30000 | 3200×2200×1950 | 1600×1600 | 30kw/380v | <100 |
10 | LSD -B-40# | 40000 | 3800×2200×1950 | 1600×1600 | 45kw/380v | <100 |
11 | LSD -B-50# | 50000 | 4200×2200×1950 | 1600×1600 | 55kw/380v | <100 |
12 | LSD -B-60# | 60000 | 5200×2200×1950 | 1600×1600 | 75kw/380v | <100 |