● 4/6/8英寸兼容,單片晶圓真空傳輸系統
● 低成本高可靠,適合研發及小規模生產
● 設備結構簡單,外形小
● 操作簡便、便于自動控制、適合大面積基片刻蝕
● 優異的刻蝕均勻性,刻蝕速率快
●滿足半導體標準的配方驅動及管理軟件控制系統
● 選擇比高、各向異性高、刻蝕損傷小
● 斷面輪廓可控性高,刻蝕表面平整光滑
晶圓尺寸:4/6/8英寸兼容
適用工藝:等離子體刻蝕
適用材料:SiC、Si、GaN、GaAs、InP、Ploy,etc.
適用領域:化合物半導體,MEMS、功率器件、科研等領域
● 4/6/8英寸兼容,單片晶圓真空傳輸系統
● 低成本高可靠,適合研發及小規模生產
● 設備結構簡單,外形小
● 操作簡便、便于自動控制、適合大面積基片刻蝕
● 優異的刻蝕均勻性,刻蝕速率快
●滿足半導體標準的配方驅動及管理軟件控制系統
● 選擇比高、各向異性高、刻蝕損傷小
● 斷面輪廓可控性高,刻蝕表面平整光滑
晶圓尺寸:4/6/8英寸兼容
適用工藝:等離子體刻蝕
適用材料:SiC、Si、GaN、GaAs、InP、Ploy,etc.
適用領域:化合物半導體,MEMS、功率器件、科研等領域
*您想獲取產品的資料:
個人信息: