CPC控制主板大 SGC1000-2.2 EMG德國原裝
控制單元(Control Unit)負責程序的流程管理。正如工廠的物流分配部門,控制單元是整個CPU的指揮控制中心,由指令寄存器IR(Instruction Register)、指令譯碼器ID(Instruction Decoder)和操作控制器OC(Operation Controller)三個部件組成,對協調整個電腦有序工作極為重要。
控制單元是實現一種或多種控制規律的控制儀表或控制部件。如:多路傳輸控制單元、代理設置控制單元。
CPC控制主板大 SGC1000-2.2 EMG德國原裝
cpc對中系統 控制單元 SGC1000/AE1034 C003001 VEC000001德國 EMG 220AC 50MA 含操作面板 DCU 02
電位計 EVK2-403 EMG
CPC控制板小 SGC1000-2.1 P/N:CA003008,8/N:90693
CPC控制主板大 SGC1000-2.2.P/N:CA003005.SH:10773
cpc對中系統 控制單元 SGC1000/AE1034 C003001 VEC000001德國 EMG 220AC
高頻光源發射器 LLS 1275/01EMG
EMG線性光源發射器 LID2-800.32C 備件號:C019006
對中光源1075
線性光源發射器LLS675/01
高頻光源LLS875/02
uS 675/11 Lchtband 品牌:EMG CPC光源
CPC光源 LLS 675/11 Lichtband 品牌:EMG
EMG對中線性光源發射器:LID2-800.2C元件編號:C019005
EMG線性光源發射器LLS875/01
EMG光源\LLS1075/01
線性光源發射器_EMG LLS 1075/01 24V DC/0, 7A
EMG高頻光源發射器LIC1075/11
光源/L1C770/01-24VDC/3.0A
無論哪一個種類的控制單元,原理均為通過控制單元發出的控制信號對CPU各個部分加以控制。控制單元大體可以分為以下兩類。
- 微程序式,由微程序讀取和發出控制信號。通過被稱為微型定序器的簡單數字通路(微型電腦)對微程序加以執行。 [1]
- 硬件型控制單元。由數字通路直接發出控制信號。由于集成電路的規模化及設計技術的進步,此種控制單元已成為可能。
它根據用戶預先編好的程序,依次從存儲器中取出各條指令,放在指令寄存器IR中,通過指令譯碼(分析)確定應該進行什么操作,然后通過操作控制器OC,按確定的時序,向相應的部件發出微操作控制信號。操作控制器OC中主要包括節拍脈沖發生器、控制矩陣、時鐘脈沖發生器、復位電路和啟停電路等控制邏輯。
EMG LS13.01測量光電傳感器
EVK2-CP/400.71/L/R EMG 傳感器
EVM2 CP/750.71/L/R傳感器 EMG
LS14.01 EMG 測量光電傳感器
EMG光電式測量傳感器 EVM2-CP/1850 71/L/R
EMG 高頻報警光發射器 LIH2/30/230.01
EMG LID2-800.2C 對中光源發射器
EMG LID2-300.2C 對中光源發射器
EMG LLS 1075 線性光源發射器
EMG LLS 1075/01 線性光源發射器
CPC光源 LLS 675/11 Lichtband
EMG LLS 875/02 線性光源發射器
EMG LLS 675/01 線性光源發射器
EMG 線性光源發射器 LLS875/01
EMG對中光源發射器 LIE 1075/230/50
EMG LLS 475/01 線性光源發射器
EMG LIC1075/11光源發射器
EMG 對中光源發射器 LIE 1075/230/50
EPC測量單元 EVK2-CP_600.71_L_R_A_Version_02
EMG 光源發射器 L1C770/01-24VDC/3.0A
EMG LPS600.01 光源發射器
EMG LIC770/01 光源發射器
EMG LIC1075/01 光源發射器
EMG LIC770/11 CPC高頻光源
EMG LID2-800.32C 對中光源發射器
EMG SV1-10/16/100/1/D 伺服閥
伺服閥 SERVOVENTIL SV1-06/05/210/5
1873年,英國W·史密斯發現硒的光電導效應,但是這種效應長期處于探索研究階段,未獲實際應用。第二次世界大戰以后,隨著半導體的發展,各種新的光電導材料不斷出現。在可見光波段方面,到二十世紀50年代中期,性能良好的硫化鎘、硒化鎘光敏電阻和紅外波段的硫化鉛光電探測器都已投入使用。二十世紀60年代初,中遠紅外波段靈敏的Ge、Si摻雜光電導探測器研制成功,典型的例子是工作在3~5微米和8~14微米波段的Ge:Au(鍺摻金)和Ge:Hg光電導探測器。二十世紀60年代末以后,HgCdTe、PbSnTe等可變禁帶寬度的三元系材料的研究取得進展。 工作原理和特性 光電導效應是內光電效應的一種。當照射的光子能量hv等于或大于半導體的禁帶寬度Eg時,光子能夠將價帶中的電子激發到導帶,從而產生導電的電子、空穴對,這就是本征光電導效應。這里h是普朗克常數,v是光子頻率,Eg是材料的禁帶寬度(單位為電子伏)。因此,本征光電導體的響應長波限λc為 λc=hc/Eg=1.24/Eg (μm) 式中 c為光速。本征光電導材料的長波限受禁帶寬度的限制。
工作溫度高(高于77K),使用方便,而Ge:Hg工作溫度為38K;本征吸收系數大,樣品尺寸小;易于制造多元器件。表1和表2分別列出部分半導體材料的Eg、Ei和λc值。
EMG LLS 1275/01 高頻光源發射器LICHTBAND