LED 的原理 LED 的核心部分是由n 型半導體與p 型半導體組成的晶片，利用注入式發(fā)光原理制作而成。在n 型與p 型半導體之間，有一個p-n 結的過渡層，當注入的多數載流子和少數載流子復合時，多余的能量會以光的形式在某些半導體材料中釋放出來，進而將電能轉換成光能。如果反向加電壓，那么難以注入少數載流子，因此也就不會發(fā)光。

    LED 由周期表中的V 族元素與Ⅲ族元素組成，是由化合物半導體材料組成，如：磷化鎵與砷化鎵是單色LED 常用的材料。 目前，氮化鎵是制造白光LED 的主要材料。對于GaN 薄膜材料，目前還沒有體單晶GaN 可以同質外延，主要是依靠有機金屬氣象沉淀法，在相關的異型支撐襯底上來生成。在沉底上依次鍍上n-A1GaN、p-A1GaN、n-GaN 等材料，然后使用一系列工藝過程，如： 封裝、劃片，來完成制造。這種工藝目前發(fā)展成熟，但由于藍寶石是GaN 基LED 的主要襯底材料，所以能夠替代它的襯底材料目前還未發(fā)現(xiàn)。  

    大功率LED 散熱的重要性 傳統(tǒng)管芯的功率比較小，需要散熱也不多，所以在散熱上，并沒有什么嚴重問題，但大功率的LED 就不同了，它的芯片功率密度非常大。目前，由于半導體制造技術的原因，有80% 以上的輸入功率轉化為了熱能，只有不到20% 轉化成了光能。芯片的熱量如果只是簡單的按比例將封裝尺寸放大，是無法散發(fā)出去的，且極有可能會導致焊錫融化，造成芯片失效，而加快熒光粉與芯片老化是必然會發(fā)生的情況，LED 的色度在溫度上升時也會變差。 對LED 來說散熱具有非常重大的意義，一般要求結溫在110C 以下，這樣才能保證器件的使用壽命。

     目前，大功率LED封裝需要考慮的首要問題就是如何改進不斷增大的芯片功率所帶來的散熱問題。目前，比較常用的改進LED 散熱問題的方法有兩種，分別是：加快散發(fā)內部熱量，對LED的散熱結構進行改進，使芯片的溫度可以有效降低；從根本上減少熱量的產生，提高芯片的發(fā)光效率，提高器件內量子效率。  

    的LED熱量控制技術  傳統(tǒng)的方法是采用散熱器進行散熱，水冷、熟管技術、風冷、微管道散熱等，是目前較為常用的散熱技術。 深圳鑫太光科技公司采用*技術——LED智能驅動模塊，控制供應電流，控制電流達到飽和光亮的電流不再上升，達到控制多余熱量的要求，因此不需要散熱器也可以使大功率的LED燈達到散熱要求，控制結溫，獲得更穩(wěn)定的光效。