西安誼邦電子科技有限公司
詳細摘要： IGBT是廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代中、大功率變換器中的主流半導體開關(guān)器件，其開關(guān)特性決定裝置的開關(guān)損耗、功率密度、器件應(yīng)力以及電磁兼容性，直接影響變換器的性能。因此準確測...
產(chǎn)品型號：所在地：西安市更新時間：2018-11-28 在線留言
詳細摘要： ENX2020IGBT、MOS、二極管雪崩耐量測試儀是本公司研發(fā)設(shè)計的測試IGBT、MOSFET、二極管雪崩耐量的專業(yè)測試設(shè)備，能夠準確快速的測試出IGBT、M...
產(chǎn)品型號：ENX-2020所在地：西安市更新時間：2018-11-28 在線留言
詳細摘要： 大功率半導體器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)適合工廠、研究所用做半導體器件及其模塊的篩選、檢驗、分析以及器件生產(chǎn)廠用做生產(chǎn)測試，是一款針對大功率器件各種靜態(tài)參數(shù)而研制的智能...
產(chǎn)品型號：EN-30200所在地：西安市更新時間：2018-11-28 在線留言
詳細摘要： EN-3020C系統(tǒng)是專為測試IGBT而設(shè)計。能夠真實準確測試出IGBT的各種靜態(tài)參數(shù)：其測試范圍如下：1）柵極-發(fā)射極漏電流測試 VGES、IGES2）柵極-...
產(chǎn)品型號：所在地：西安市更新時間：2018-11-28 在線留言
詳細摘要： 功率器件IGBT，MOS測試綜合圖示系統(tǒng)測試范圍二極管DIODE，晶體管（NPN型/PNP型），J型場效應(yīng)管J-FET，MOS場效應(yīng)管 MOS-FET雙向可控硅...
產(chǎn)品型號：所在地：西安市更新時間：2018-11-28 在線留言
詳細摘要： 電源、變頻器、逆變器來料篩選測試儀設(shè)備用途測試分析、器件選型 、篩選檢驗 、生產(chǎn)線自動批量測試等
產(chǎn)品型號：EN-J所在地：西安市更新時間：2018-11-28 在線留言
詳細摘要： 院所高校、器件生產(chǎn)廠商功率器件測試儀應(yīng)用領(lǐng)域院所、高校、半導體器件生產(chǎn)廠商、電源、變頻器、逆變器、變流器、數(shù)控、電焊機、白色家電、新能源汽車、軌道機車檢修等
產(chǎn)品型號：EN-2005-B所在地：西安市更新時間：2018-11-28 在線留言
詳細摘要： 測試范圍廣（19總大類，27分類）升級擴展性強，通過選件可提升電壓電流，和增加測試品種范圍。支持電壓電流階梯升級至2000V，1250A
產(chǎn)品型號：所在地：西安市更新時間：2018-11-28 在線留言
詳細摘要： ENX2020雪崩耐量測試儀是本公司研發(fā)設(shè)計的測試IGBT、MOSFET、二極管雪崩耐量的專業(yè)測試設(shè)備，能夠準確快速的測試出IGBT、MOSFET、、二極管的雪...
產(chǎn)品型號：所在地：西安市更新時間：2018-08-24 在線留言
詳細摘要： 晶閘管綜合參數(shù)測試系統(tǒng)，是大功率晶閘管測試的重要檢測設(shè)備，該設(shè)備具有如下特點：1. 該測試系統(tǒng)是一套綜合的測試系統(tǒng)，綜合測試參數(shù)多，技術(shù)難度大。2. 該測試系統(tǒng)...
產(chǎn)品型號：所在地：西安市更新時間：2018-08-24 在線留言
詳細摘要： 此設(shè)備具有以下測試單元。注：開關(guān)時間，二極管反向恢復，柵極電荷需要可在分裝后測試，靜態(tài)參數(shù)及雪崩測試需要在加電容前測試。開關(guān)時間測試單元開啟延遲時間（Td（on...
產(chǎn)品型號：所在地：西安市更新時間：2018-08-24 在線留言
詳細摘要： EN-2020A半導體器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，該系統(tǒng)是針對IGBT器件的開關(guān)性特性及IGBT內(nèi)部續(xù)流二極管的反向恢復特性而專門設(shè)計的一套全自動測試系統(tǒng)，適用于電流...
產(chǎn)品型號：所在地：西安市更新時間：2018-08-24 在線留言
詳細摘要： 針對IGBT的各種靜態(tài)參數(shù)而研制的智能測試系統(tǒng)大功率（IV可擴展至4500A，6000V）自動化程度高（按照操作人員設(shè)定的程序自動工作）計算機記錄測試結(jié)果，測試...
產(chǎn)品型號：所在地：西安市更新時間：2018-08-24 在線留言
詳細摘要： 西安易恩電氣 EN-2005C是一款很具有代表性的新型半導體晶體管圖示系統(tǒng)，本系統(tǒng)可自動生成功率器件的I-V曲線，也可根據(jù)客戶的實際需求設(shè)置功能測試，直接讀取數(shù)...
產(chǎn)品型號：所在地：西安市更新時間：2018-08-24 在線留言
詳細摘要： 此設(shè)備具有以下測試單元。注：開關(guān)時間，二極管反向恢復，柵極電荷需要可在分裝后測試，靜態(tài)參數(shù)及雪崩測試需要在加電容前測試。開關(guān)時間測試單元開啟延遲時間（Td（on...
產(chǎn)品型號：所在地：西安市更新時間：2018-08-10 在線留言
詳細摘要： 友能測試儀替代品易恩晶閘管綜合測試儀DBC-226高精度大功率晶閘管綜合測試儀系統(tǒng)概述晶閘管綜合參數(shù)測試系統(tǒng)，是大功率晶閘管測試的重要檢測設(shè)備，該設(shè)備具有如下特...
產(chǎn)品型號：所在地：西安市更新時間：2018-08-10 在線留言
詳細摘要： 絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，簡稱IGBT）作為功率開關(guān)器件，具有載流密度大、飽和壓降低等許多優(yōu)點， ...
產(chǎn)品型號：所在地：西安市更新時間：2018-08-10 在線留言
詳細摘要： DBC-320測試臺是專為IGBT模塊進行高溫反偏試驗而進行設(shè)計,是IGBT出廠檢測的重要設(shè)備。該試驗臺可對相應(yīng)的IGBT器件進行適配器匹配，同時對48只器件進...
產(chǎn)品型號：所在地：西安市更新時間：2018-08-10 在線留言
詳細摘要： 該系統(tǒng)符合MIL-STD-750D METHOD-1038.3、GJB128、 JEDEC標準試驗要求。可供半導體器件配以適當?shù)臏囟瓤煽匮b置， 作交流阻斷（或反...
產(chǎn)品型號：所在地：西安市更新時間：2018-08-10 在線留言您感興趣的產(chǎn)品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
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