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雪崩耐量測試系統(tǒng)

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產(chǎn)品型號ENX2020

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所在地西安市

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更新時間：2018-09-14 16:54:50瀏覽次數(shù)：433次

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西安誼邦電子科技有限公司

經(jīng)營模式：生產(chǎn)廠家

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所在地區(qū)：陜西西安市

聯(lián)系人：李想（項目經(jīng)理）

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產(chǎn)品簡介

ENX2020雪崩耐量測試儀是本公司研發(fā)設(shè)計的測試IGBT、MOSFET、二極管雪崩耐量的專業(yè)測試設(shè)備，能夠準(zhǔn)確快速的測試出IGBT、MOSFET、、二極管的雪崩耐量。
西安易恩電氣ENX2020 雪崩耐量測試系統(tǒng)，該設(shè)備包括：可控直流電源、可選電感、電流傳感器、電壓傳感器、雪崩保護(hù)電壓、IGBT、MOSFET、二極管等功率型器件、IGBT、MOSFET、二極管功率型器件保護(hù)電路、計算機(jī)控制系統(tǒng)

詳細(xì)介紹

概述

向半導(dǎo)體的接合部施加較大的反向衰減偏壓時，電場衰減電流的流動會引起雪崩衰減，此時元件可吸收的能量稱為雪崩耐量，表示施加電壓時的抗擊穿性。對于那些在元件兩端產(chǎn)生較大尖峰電壓的應(yīng)用場合，就要考慮器件的雪崩能量，電壓尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定，因此對于反激的應(yīng)用場合，電路關(guān)斷時會產(chǎn)生較大的電壓尖峰。通常的情況下，功率器件都會降額，從而留有足夠的電壓余量，但是一些電源在輸出短路時，初級會產(chǎn)生較大的電流，加上初級電感，器件就會有雪崩損壞的可能，因此在這樣的應(yīng)用條件下，就要考慮器件的雪崩能量。另外，由于一些電機(jī)的負(fù)載是感性負(fù)載，而啟動和堵轉(zhuǎn)過程中會產(chǎn)生*的沖擊電流，因此也要考慮器件的雪崩能量。

ENX2020雪崩耐量測試儀是本公司研發(fā)設(shè)計的測試IGBT、MOSFET、二極管雪崩耐量的專業(yè)測試設(shè)備，能夠準(zhǔn)確快速的測試出IGBT、MOSFET、、二極管的雪崩耐量。

西安易恩電氣ENX2020 雪崩耐量測試系統(tǒng)，該設(shè)備包括：可控直流電源、可選電感、電流傳感器、電壓傳感器、雪崩保護(hù)電壓、IGBT、MOSFET、二極管等功率型器件、IGBT、MOSFET、二極管功率型器件保護(hù)電路、計算機(jī)控制系統(tǒng)、雪崩電壓采集系統(tǒng)、雪崩電流采集系統(tǒng)、測試夾具、測試標(biāo)準(zhǔn)適配器、外接測試端口（根據(jù)客戶需求）等多個部分。

規(guī)格/環(huán)境要求

電壓頻率：50Hz±1Hz

環(huán)境溫度：15～40℃

工作濕度：溫度不高于+30℃時，相對濕度5%-80%。

溫度+30℃到+50℃時相對濕度5%-45%，無冷凝。

大氣壓力： 86Kpa～106Kpa

海拔高度：不超過3000米。

尺寸：800x800x1800mm

質(zhì) 量：210KG

工作電壓：AC220V±10%無嚴(yán)重諧波

系統(tǒng)功耗：320W

通信接口：USB RS232

技術(shù)指標(biāo)

配置	測試范圍	測試參數(shù)	條件	范圍
電壓 1000V	IGBTs 絕緣柵雙極型晶體管	EAS/單脈沖雪崩能量	VCE	20V-4500V	20-100V±3%±1V 100-1000V±3%±5V 1000-4500V±3%±10V
電流 200A	MOSFETs MOS場效應(yīng)管	EAR/重復(fù)脈沖雪崩能量	Ic	1mA-200A	1mA-100mA±3%±0.1mA 100mA-2A±3%±5mA 2A-200A±3%±50mA
	DIODEs 二極管	IAS/單脈沖雪崩電流	Ea	1J-2000J	1J-100J±3%±1J 100J-500J±3%±5J 500J-2000J±3%±10J
		PAS/單脈沖雪崩功率	IC檢測	50mV/A（取決于傳感器）
			感性負(fù)載	10mH、20mH、40mH、80mH、100mH
			重復(fù)間隙時間	1-60s可調(diào)（步進(jìn)1s）重復(fù)次數(shù)：1-50次

關(guān)鍵詞：傳感器

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