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韋氏納米系統(tǒng)(深圳)有限公司


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HMS-3000霍爾效應(yīng)測(cè)試儀

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產(chǎn)品型號(hào)HMS-3000

品       牌其他品牌

廠商性質(zhì)代理商

所  在  地深圳市

聯(lián)系方式:劉先生查看聯(lián)系方式

更新時(shí)間:2018-10-22 14:44:12瀏覽次數(shù):622次

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經(jīng)營(yíng)模式:代理商

商鋪產(chǎn)品:31條

所在地區(qū):廣東深圳市

聯(lián)系人:劉先生 (總經(jīng)理)

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

霍爾效應(yīng)測(cè)試儀主要用于測(cè)量半導(dǎo)體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)、導(dǎo)電類型等重要參數(shù),而這些參數(shù)是了解半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必須預(yù)先掌控的,因此霍爾效應(yīng)測(cè)試儀是理解和研究半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體材料電學(xué)特性*的工具。
ECOPIA公司的HMS系列霍爾效應(yīng)測(cè)量系統(tǒng)主要由恒電流源、范德堡法則終端轉(zhuǎn)換器、低溫(77K)測(cè)量系統(tǒng)及磁場(chǎng)強(qiáng)度輸入系統(tǒng)組成,擁有研究半導(dǎo)體材料霍爾效應(yīng)所有的部件和配置,是一套非

詳細(xì)介紹

產(chǎn)品特點(diǎn):

1、 可靠的精度及重現(xiàn)性
恒電流源(1nA~20mA)采用六級(jí)電流范圍設(shè)置,將可以接收的誤差降到低;范德堡法則轉(zhuǎn)換使用非接觸裝置有效降低儀器噪聲;軟硬件有針對(duì)性的設(shè)計(jì),確保每個(gè)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)均為多次測(cè)試的平均值,使儀器擁有非常好的數(shù)據(jù)重現(xiàn)性。
2、 產(chǎn)品小型化及操作簡(jiǎn)單化
小尺寸的磁場(chǎng)強(qiáng)度輸入系統(tǒng)使用永磁體和液氮低溫測(cè)量系統(tǒng)(77K),確保儀器操作非常簡(jiǎn)單;兩種不同尺寸的傳統(tǒng)樣品板(20*20mm6*6mm)及帶彈簧夾片的樣品板(SPCB),使得不同尺寸不同材料的薄膜樣品更容易測(cè)量,區(qū)別于傳統(tǒng)樣品板的彈簧夾片樣品板使得霍爾電極制作更方便且對(duì)樣品損傷更小。
3I-V曲線及I-R曲線測(cè)量
采用圖表的方式,測(cè)量探針?biāo)狞c(diǎn)(ABCD)間電流-電壓及電流-電阻關(guān)系,并以此評(píng)判樣品的歐姆接觸好壞、了解樣品的基本的電學(xué)特性。
4、 多樣的實(shí)驗(yàn)結(jié)果
實(shí)驗(yàn)結(jié)果由軟件自動(dòng)計(jì)算得到,可同時(shí)得到體載流子濃度(Bulk Carrier Concentration)、表面載流子濃度(Sheet Carrier Concentration)、遷移率(Mobility)、電阻率(Resistivity)、霍爾系數(shù)(Hall Coefficient)、磁致電阻(Magnetoresistance)、電阻的縱橫比率(Vertical/Horizontal ratio of resistance)等等。

 

 

產(chǎn)品組成:

主機(jī)(精密恒電流源+范德堡法則終端轉(zhuǎn)換器) / 磁體包(包括樣品板) / 軟件等。

 

 

產(chǎn)品規(guī)格:

1、 主要儀器參數(shù)
輸入電流:1nA ~ 20mA;

電阻率:10exp(-5) ~ 10exp7 Ω.cm;

載流子濃度:10exp7 ~ 10exp21 cm-3

遷移率:1 ~ 10exp7 cm2/Volt.sec;

磁場(chǎng)強(qiáng)度:0.37T, 0.55T,  1T, 0.25~1T變場(chǎng)磁體;

樣品測(cè)量板:PCB樣品板,SPCB彈簧樣品板,晶圓樣品板等;

樣品尺寸:5mmX5mm  ~ 20mmX20mm (可選配30mm或2inch大樣品板);

測(cè)量溫度:常溫,77K液氮浴;

2、 軟件操作環(huán)境
XP / Win7 / Win8 / Win10環(huán)境下
3、 實(shí)驗(yàn)結(jié)果
體載流子濃度、表面載流子濃度;
遷移率;

霍爾系數(shù);
電阻率,方塊電阻;
磁致電阻;
電阻的縱橫比率;
4、 儀器尺寸和重量
主機(jī)尺寸:360×300×105 mm (W×H×D) 磁體Kit尺寸:200×120×110 mm (W×H×D)
凈重:7.7千克;
5、 測(cè)量材料
Si, SiGe, SiC, ZnO, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO等所有半導(dǎo)體薄膜(P型和N)


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