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新宇天成
低噪聲設備, 噪聲系數很低的放大器。一般用作各類無線電接收機的高頻或中頻前置放大器,以及高靈敏度電子探測設備的放大電路。在放大微弱信號的場合,放大器自身的噪聲對信號的干擾可能很嚴重,因此希望減小這種噪聲,以提高輸出的信噪比。
低噪聲設備噪聲系數很低的放大器。一般用作各類接收機的高頻或中頻前置放大器,以及高靈敏度電子探測設備的放大電路。在放大微弱信號的場合,放大器自身的噪聲對信號的干擾可能很嚴重,因此希望減小這種噪聲,以提高輸出的信噪比。由放大器所引起的信噪比惡化程度通常用噪聲系數F來表示。理想放大器的噪聲系數 F=1(0分貝),其物理意義是輸入信噪比等于輸出信噪比。現代的低噪聲放大器大多采用晶體管、場效應晶體管;微波低噪聲放大器則采用變容二極管參量放大器,常溫 參放的噪聲 溫度Te可低于幾十度(溫度),致冷參量放大器可達20K以下,砷化鎵場效應晶體管低噪聲微波放大器的應用已日益廣泛,其噪聲系數可低于 2 分貝。放大器的噪聲系數還與晶體管的工作狀態以及信源內阻有關。為了兼顧低噪聲和高增益的要求,常采用共發射極一共基極基聯的低噪聲放大電路。晶體管的自身噪聲由下列四部分組成。①閃爍噪聲,其功率譜密度隨頻率f的降低而增加,因此也叫作1/f噪聲或低頻噪聲。頻率很低時這種噪聲較大,頻率較高時(幾百赫以上)這種噪聲可以忽略。②基極電阻rb'b的熱噪聲和。③散粒
噪聲,這兩種噪聲的功率譜密度基本上與頻率無關。④分配噪聲,其強度與f的平方成正比,當f高于晶體管的截止頻率時,這種噪聲急劇增加。圖1是晶體管噪聲系數F隨頻率變化的曲線。對于低頻,特別是超低頻低噪聲放大器,應選用1/f噪聲小的晶體管;對于中、高頻放大,則應盡量選用高的晶體管,使其工作頻率范圍位于噪聲系數-頻率曲線的平坦部分,低噪聲設備
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