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技術(shù)文章

KRI 射頻離子源 RFICP 380 輔助離子束濺射鍍SiO_2薄膜

閱讀：309發(fā)布時(shí)間：2020-10-15

二氧化硅 (SiO_2) 薄膜具有硬度高、耐磨性好、絕緣性好等優(yōu)點(diǎn)常作為絕緣層材料在薄膜傳感器生產(chǎn)中得到廣泛應(yīng)用. 某光學(xué)薄膜制造商為了獲得高品質(zhì)的 SiO_2薄膜引進(jìn)伯東 KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 380輔助離子束濺射鍍制SiO_2薄膜.

 

該制造商的離子束濺射鍍膜組成系統(tǒng)主要由濺射室、雙離子源、濺射靶、基片臺(tái)、真空氣路系統(tǒng)以及控制系統(tǒng)等部分組成.

 

離子源濺射離子源采用進(jìn)口的 KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 380, 其參數(shù)如下:

伯東 KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 380 技術(shù)參數(shù)：

射頻離子源型號(hào)

RFICP 380

Discharge 陽(yáng)極

射頻 RFICP

離子束流

>1500 mA

離子動(dòng)能

100-1200 V

柵極直徑

30 cm Φ

離子束

聚焦

流量

15-50 sccm

通氣

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型壓力

< 0.5m Torr

長(zhǎng)度

39 cm

直徑

59 cm

中和器

LFN 2000

 

推薦理由：

1. 聚焦型濺射離子源一方面可以增加束流密度, 提高濺射率

2. 另一方面減小離子束的散射面積, 減少散射的離子濺射在靶材以外的地方引起污染

 

其真空氣路系統(tǒng)真空系統(tǒng)需要沉積前本底真空抽到 8×10-4 Pa, 經(jīng)推薦采用伯東泵組  Hicube 80 Pro, 其技術(shù)參數(shù)如下：

 

分子泵組 Hicube 80 Pro 技術(shù)參數(shù):

進(jìn)氣法蘭

氮?dú)獬樗?br /> N2,l/s

極限真空 hpa

前級(jí)泵

型號(hào)

前級(jí)泵抽速
 m³/h

前級(jí)真空
安全閥

DN 40 ISO-KF

35

< 1X10-7

Pascal 2021

18

AVC 025 MA

 

運(yùn)行結(jié)果：

  1. SiO_2薄膜沉積速率比以前更加快速
  2. 薄膜均勻性明顯提高
  3. 成膜質(zhì)量高、膜層致密、缺陷少

 

伯東是德國(guó) Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計(jì), 美國(guó) KRI 考夫曼離子源, 美國(guó)HVA 真空閥門, 美國(guó) inTEST 高低溫沖擊測(cè)試機(jī), 美國(guó) Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口的代理商.

 


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