德國Rexroth力士樂先導式溢流閥R901066860

R901066860

DB 10-2-5X/155E

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DB 10-2-5X/175E

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DB 10-2-5X/185E

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R900587772

DB 10-2-5X/200

R901122078

DB 10-2-5X/200-115

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DB 10-2-5X/200-120

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R900931975

DB 10-2-5X/200-165

R901049523

DB 10-2-5X/200-170

德國Rexroth力士樂先導式溢流閥R901066860

(4) 巨磁電阻多層膜。由不同金屬、不同層數和層間材料的不同組合,可以制成不同的機制的巨磁電阻(giant magneto - resistance) 磁傳感器。它們呈現出的隨磁場而變化的電阻率,比單層的各向異性磁敏電阻器的要高出幾倍,正受到研制高密度記錄磁盤讀出頭的科技人員的極大關注，已見有5 G字節的自旋閥頭的設計分析的報導。

(5) 各種不同成分和比例的非晶合金材料的采用,及其各種處理工藝的引入,給磁傳感器的研制注入了新的活力,已研制和生產出了雙芯多諧振蕩橋磁傳感器、非晶力矩傳感器、壓力傳感器、熱磁傳感器、非晶大巴克豪森效應磁傳感器等[4 ] 。發現的巨磁感應效應(giant magneto inductive effect) 和巨磁阻抗效應(giant magneto - impedance effect) ,比巨磁電阻的響應靈敏度高一個量級,可能做成磁頭,成為高密度磁盤讀頭的有力競爭者。利用非晶合金的高導磁率特性和可做成細絲的機械特性,將它們用于磁通門和威根德等器件中,取代坡莫合金芯,使器件性能得到大大的改善。(6) Ⅲ- Ⅴ族半導體異質結構材料。例如,在InP 襯底上用分子束外延技術生長In0. 52Al0. 48As/In0. 8Ga0. 2As ,形成假晶結構,產生二維電子氣層,其層厚是分子級的,這種材料的能帶結構發生改變。用這種材料來制作霍爾元件,其靈敏度高于市售的

InSb 和GaAs 元件,在296 K時為22. 5 V/ T ,靈敏度的溫度系數也有大的改善,用恒定電流驅動時,為-0. 0084 [%]/ K。用這種材料,除可制造霍爾器件外,還可用以制造磁敏場效應管、磁敏電阻器等。在國外,由于磁傳感器已逐漸被廣泛而大量地使用 。

(6)磁隧道結。早在1975年,Julliere就在Co/Ge/Fe磁性隧道結(MagneticTunnelJunctions，MTJs)(注:MTJs的一般結構為鐵磁層/非磁絕緣層/鐵磁層(FM/I/FM)的三明治結構)中觀察到了TMR效應 。MTJs中兩鐵磁層間不存在或基本不存在層間耦合，只需要一個很小的外磁場即可將其中一個鐵磁層的磁化方向反向，從而實現隧穿電阻的巨大變化，故MTJs較金屬多層膜具有高得多的磁場靈敏度。同時，MTJs這種結構本身電阻率很高、能耗小、性能穩定。因此，MTJs無論是作為讀出磁頭、各類傳感器，還是作為磁隨機存儲器(MRAM)，都具有的優點，其應用前景十分看好，引起世界各研究小組的高度重視 。

磁傳感器的應用與市場.

磁傳感器的應用十分廣泛，已在國民經濟、國防建設、科學技術、醫療衛生等領域都發揮著重要作用，成為現代傳感器產業的一個主要分支。在傳統產業應用和改造、資源探查及綜合利用、環境保護、生物工程、交通智能化管制等各個方面，它們發揮著愈來愈重要的作用。下面就一些重要方面的應用作一論述。

磁傳感器的產業應用

磁傳感器已經在許多領域獲得了產業性的應用，每年所需用的磁傳感器的總數量以數十億計。