4電弧提拉法單晶生長爐系列是一款采用4電弧的提拉法單晶生長爐（采用Ar氣電弧對樣品熔融，提拉裝置提拉），其溫度可達3000℃。腔體為304不銹鋼腔體（帶有水冷夾層），真空度可達10-5Torr.此款單晶爐特別適合生長高熔點的單晶，如Ti單晶，YSZ，SiC和CeRh2Si等等。

4電弧提拉法單晶生長爐系列

l 共有4個電弧槍，可讓樣品得到均勻的溫場（電弧槍都帶有冷卻水）

l 鎢電極直徑為Φ4mm

l 電弧腔體對樣品的角度和距離可手動調節

l 起弧電源： 18 V / 185 A    電壓380V

l 熔煉溫度可達3000℃

?合肥科晶材料技術有限公司成立于1997年，是美國MTI公司與中科院合肥物質科學研究院興辦的*。 公司目前主要從事氧化物晶體（A-Z）系列材料研發生產、濺射靶材制備和材料實驗室及電池研發全套設備。公司從成立之初研發高溫超導薄膜基片大尺寸LaAlO3單晶做起，目前MgAlO4、NdGaO3、LSAT、3英寸LaAlO3等晶體是世界供應商。設備研發的各種高溫爐，大尺寸高溫高壓爐，熱等靜壓爐，單晶生長爐等，用于石墨烯、高通量、蒸發鍍膜、高溫超導薄膜、超導塊材和線材的制備設備，涉及新能源材料，電池制備等成套設備，并為科研工作者提供材料研究解決方案，已經成為企業。