一. 系統描述
本設備為單室高真空系統，它主要由真空系統、氣路系統、電氣系統、射頻電源系統、自動控制系統、冷卻系統、報警系統等組成。
真空系統由一個分子泵（抽速600升/秒）+ 一個直聯旋片式真空泵（抽速9升/秒）組成抽氣系統, 將真空室抽至高真空, 分子泵與真空室之間裝有一個電動可調節閥電動插板閥, 直聯旋片式真空泵為真空室予抽泵及分子泵前級泵。直聯旋片式真空泵與真空室之間及與分子泵之間均采用不銹鋼硬管及波紋管連接, 并裝有電磁氣動隔斷閥。
本設備配有下游恒壓控制系統，通過薄膜規測量（進口件），可調節閥控制，使真空室達到恒壓,從而提高工藝穩定性。
射頻電源采用進口RF500W及RF1000W雙電源控制，帶自電動匹配。
氣路系統采用四個質量流量控制器（國產）控制四路氣體進氣。氣體管路采用1/4英寸不銹鋼硬管（進口件），管路接頭連接形式采用雙卡套連接（進口件）。
自動控制系統采用PLC控制、17寸觸摸顯示屏操作，實現真空系統及工藝過程自動化。本機可選擇全自動及非全自動模式。
本設備設有安全保護及報警系統。
二. 技術指標
1.極限真空度: 9×10-5Pa（環境濕度≤55%）
2. 刻蝕材料: SiO2、 Si3N4、深刻Si等
3. 刻蝕速率： 0.01 ~ 2μ/min
4. 刻蝕均勻性: ≤±5％ (φ125mm范圍內)
5. 電極尺寸: φ200mm
6. 反應室尺寸：φ300×280mm（約）
7. 樣片尺寸：≤ 5〞（小于5吋的不規則樣片都可）
三．設備配置
1. 真空泵源: 分子泵壹臺(抽速600升/秒)
TRP-36直聯旋片式真空泵壹臺
2.真空閥門： 150口徑氣動插板閥壹個
40口徑高真空電磁氣動隔斷閥兩個
機械泵口壓差閥壹個
3. 射頻功率源: RF500W, RF1000W射頻電源各一套
4. 氣路系統: 四臺質量流量控制器（國產）控制四路氣體進氣
閥門： 五臺1/4英寸氣動閥
5. 真空測量： 復合真空計一臺(成都睿寶電子儀器有限公司出品)
6. 恒壓系統： 薄膜規一個（進口）, 可調節閥一套(國產)
7. 自動控制系統一套
工控機一臺
17寸液晶顯示器及觸摸屏一套
PLC控制器一套
全自動電感耦合等離子體刻蝕機(ICP-500)
全自動電感耦合等離子體刻蝕機(ICP-500)
