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深圳市泰德蘭電子有限公司
TheME4412istheN-Channellogicenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusinghighcelldensity,DMOStrenchtechnology
The ME4412 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and notebook computer power management and other battery powered circuits where high-side switching , and low in-line power loss are needed in a very small outline surface mount package.
ME4412是N通道邏輯增強型功率場效應晶體管,采用高密度DMOS溝道技術制造。這種高密度工藝特別適合于最小化導通電阻。這些設備特別適用于低電壓應用,如蜂窩電話和筆記本電腦電源管理和其他電池供電電路,在非常小的外形表面安裝包中,需要高側切換和低功耗。
● RDS(ON) ≦18 mΩ@VGS=10V
● RDS(ON) ≦30 mΩ@VGS=4.5V
● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)
● Exceptional on-resistance and maximum DC current capability
應用:
●筆記本中的電源管理
●便攜式設備
●電池供電系統
●DC/DC轉換器
●負荷開關C
●液晶顯示逆變器
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