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深圳市泰德蘭電子有限公司
TheME07N25istheN-ChannellogicenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusinghighcelldensityDMOStrenchtechnology
The ME07N25 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density DMOS trench technology.This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance.
ME07N25是采用高密度DMOS溝道技術制作的N通道邏輯增強型功率場效應晶體管,這種高密度工藝特別適合于最小化導通電阻。
應用:
●電源管理
●DC/DC轉換器
●液晶電視和顯示器逆變器
●CCFL逆變器
●二次同步整流
● RDS(ON)≦590mΩ@VGS=10V
● Super high density cell design for extremely low RDS(ON)
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