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混合氣體化學氣相沉積CVD系統

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產品型號S-1200S-CVD

品       牌

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更新時間:2022-02-12 10:08:05瀏覽次數:610次

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產品簡介

混合氣體化學氣相沉積CVD系統由高溫管式爐,真空壓強控制系統,多通道高精度數字質量流量控制系統,過壓保護及冷凝等部分組成,可實現真空達0.1mbar混合氣體化學氣相沉積和擴散試驗。

詳細介紹

功能特點:
由高溫管式爐,真空壓強控制系統,多通道高精度數字質量流量控制系統,過壓保護及冷凝等部分組成,可實現真空達0.1mbar混合氣體化學氣相沉積和擴散試驗。
產品用途:
適用于高校、科研院所用于真空鍍膜、納米薄膜材料制備,生長薄膜石墨烯,金屬薄膜,陶瓷薄膜,復合薄膜等,也可作為擴展等離子清洗刻蝕使用
產品參數

  • 機器電源:AC220V,50/60Hz;
  • 額定功率4kw
  • 爐管:高純石英管,高溫下化學穩定性強,耐腐蝕,熱膨脹系數極小,能承受驟冷驟熱的溫度變化;
  • 爐管尺寸:Φ80*/1000mm
  • 加熱元件:0Cr27Al7Mo2
  • 加熱區長度:400mm(可定制)
  • 恒溫區長度:200mm(可定制)
  • 工作溫度:≤1150℃
  • 升溫速率:≤10℃/min
  • 溫控系統:溫度控制采用人工智能調節技術,具有PID調節、自整定功能、30段升降溫程序
  • 測溫元件:N型熱電偶
  • 恒溫精度:±1℃
  • 保護及提醒:超溫、斷偶故障警報及斷電保護、高精度質量流量計通過數據接口連接電腦,配置軟件實時人機交互界面
  • 混氣系統:四通道質量流量控制,可同時通入四種不同氣體、內置不銹鋼混氣箱,每路氣體管路均配有逆止閥、每路氣體進氣管路配有不銹鋼針閥
  • 流量規格:0~30SLM
  • 控制精度:±1.0%F.S
  • 極限真空:6.0×10-5Pa
  • 工作真空:7.6×10-4Pa
  • 冷凝系統:采用低溫恒溫槽,溫度可達-20℃、內置不銹鋼真空冷凝灌,采用KF接頭,清理收集方便、槽內冷液可外引,冷卻機外實驗容器,也可在槽內直接進行低溫、恒溫實驗


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