Ho 3+離子的發(fā)射截面和激光能級(jí)壽命比Tm 3+離子更高，但是由于Ho 3+不具有與商用激光二極管的輸出匹配的強(qiáng)吸收線，因此通常選擇Ho 3+與Tm 3+離子共摻雜以實(shí)現(xiàn)有效操作。因此，optogama設(shè)計(jì)了Tm,Ho：KYW晶體。

詳細(xì)介紹

激光晶體，Tm,Ho：KYW晶體

Optogama開(kāi)發(fā)了不同的激光晶體主機(jī)和離子摻雜劑組合，用于基礎(chǔ)研究和工業(yè)應(yīng)用。激光晶體-有源激光介質(zhì)是激光內(nèi)部光學(xué)增益的來(lái)源，激光晶體或激光玻璃通常摻雜稀土離子(例如釹、鐿或鉺)或過(guò)渡金屬離子(鈦或鉻)。為了激發(fā)激光，有源增益介質(zhì)必須處于非熱能分布中，即粒子數(shù)反轉(zhuǎn)。

Tm,Ho：KYW晶體是一種比較有特色的激光晶體，與Tm3 +離子相比，Ho3 +離子通常具有更高的發(fā)射截面和更長(zhǎng)的較高激光能級(jí)壽命。這些特征對(duì)于低閾值和有效的激光操作特別理想。但是，人們認(rèn)識(shí)到，由于Ho3 +不具有與市售激光二極管的輸出匹配的強(qiáng)吸收線，因此通常選擇Ho3 +與Tm3 +離子共摻雜以實(shí)現(xiàn)在2μm光譜范圍內(nèi)有效工作。Tm-Ho系統(tǒng)中的能量傳遞路徑。 Tm，Ho：KYW晶體的特征是大而寬的極化吸收和發(fā)射帶，有效的能量傳遞Tm3 +→Ho3 +。

Tm，Ho：KYW晶體主要特點(diǎn)：

-大而寬的偏振吸收和發(fā)射帶

-有效能量傳遞TM3+→Ho3+

-高摻雜濃度低濃度淬火

-可根據(jù)要求提供定制水晶

Tm，Ho：KYW晶體主要應(yīng)用：

- 2μm型遙感激光器(激光雷達(dá)技術(shù))、計(jì)量和醫(yī)療應(yīng)用

-中紅外光學(xué)參量振蕩器的泵浦源。

Tm，Ho：KYW晶體技術(shù)特性：

吸收峰波長(zhǎng)	802 nm
峰值吸收截面	7.6×10-20厘米2
峰值吸收帶寬	~4nm
激光波長(zhǎng)	2060 nm
5～7能級(jí)時(shí)間	1.8毫秒
發(fā)射截面@2056 nm	4.7×10-20厘米2
折射率@1040 nm	ng=2.05，nm=2.01，np=1.97
晶體結(jié)構(gòu)	單斜
密度	6.5克/cm3
Mohs硬度	4-5
熱導(dǎo)率	~3.3Wm-1K-1
DN/DT	DNm/dt=-9.2×10-6 K-1
熱膨脹系數(shù)	α_p=1.83×10^-6K^-1、α_m=10.29×10^-6K^-1, α_g=15.94×10^-6K^-1
典型摻雜水平	5%[TM],0.5%[HO]

Tm,Ho：KYW晶體的吸收和發(fā)射曲線

Tm,Ho：KYW晶體產(chǎn)品規(guī)格：

定向	Ng-切割
透明孔徑	>90%
面尺寸公差	+0/-0.1毫米
長(zhǎng)度公差	±0.1毫米
平行度誤差	<10 arcsec
垂直度誤差	<10 arcmin
保護(hù)槽	<0,1 mm at 45?
表面質(zhì)量	10-5 S-D
表面平整度	<λ/10@6328 nm
涂層	R<0，5%@802 nm+R<0，15%@2000-2100
利特	>10 J/cm2@2060 nm，10 ns

Tm,Ho：KYW晶體產(chǎn)品型號(hào)

SKU	面尺寸	長(zhǎng)度	端面	摻雜	涂層	價(jià)格(RMB)
7855	3x3毫米	2毫米	直角切割	TM 5%，Ho 0 5%	AR/Ar@802nm+2000-2100 nm	5600
7856	3x3毫米	2毫米	布魯斯特切	TM 5%Ho 0 5%	無(wú)涂層	4400

關(guān)鍵詞：振蕩器

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