Cr:YAG晶體是Nd：YAG和其他摻雜Nd或Yb的0.8至1,2μm波長激光器的調Q開關的理想材料，其顯著特征之一是其高損傷閾值。V:YAG晶體是一種相對較新的可飽和吸收體和被動調Q開關的晶體材料，其光譜范圍為1064至1440 nm，這主要是因為其基態(tài)非常高。在約1300nm處的吸收峰周圍的吸收截面和激發(fā)態(tài)的吸收不明顯。Co：Spinel是一種新近開發(fā)的材料，已被證明是發(fā)射1.2-1.6 µm......
Cr4+:YAG晶體, V：YAG晶體, Co:Spinel晶體
Optogama公司提供了三款成熟的被動調Q晶體：Cr:YAG crystals、V:YAG crystals、Co:Spinel crystals。
被動調Q開關晶體和可飽和吸收體一樣，可以被用作被動調Q激光器中的激光諧振腔質量調制器，其工作原理不同于主動調Q方式的電控調制器。通常，這些吸收材料的飽和通量(單位面積的飽和能量)很低，它們在聚焦光束中使用時會進一步降低飽和能量(飽和通量乘以光束面積)。
Cr4 +：YAG晶體中文名摻鉻釔鋁石榴石是波長在0.8至1,2μm激光器（Nd：YAG和其他摻雜Nd或Yb）Q開關的理想材料。 Cr4 +：YAG有一個顯著的特征就是其高損傷閾值500-1000 MW / cm2。 它的吸收帶從800 nm延伸到1200 nm，在1060nm左右達到峰值，吸收峰截面積非常大。
V：YAG晶體中文名摻釩釔鋁石榴石是一種相對較新的晶體材料，適宜于1.06～1.44 μm激光發(fā)射,特別適應于1.3μm Nd激光器。在1300 nm左右的吸收峰附近，激發(fā)態(tài)的吸收峰截面不明顯。這種材料具有優(yōu)異的光學、力學和熱性能。可以用Czochralski法生產(chǎn)。V：YAG晶體用于Nd：YAG、Nd：YAP、Nd：KGW、Nd：YVO 4等多種有源介質中，可獲得結構緊湊、性能優(yōu)良的被動調Q激光器。
Co:Spinel晶體中文名叫鈷尖晶石是一種新型發(fā)展的材料，發(fā)射波長范圍在1.2-1.6μm，已經(jīng)被證明是一種非常有效的被動調Q開關。它被廣泛用于對眼睛安全的Er：glass激光器（1.54 µm），并且在波長1.44 µm和1.34 µm的激光器上得到驗證。Co：Malo(Co：尖晶石)具有高吸收截面，使得Er：玻璃激光器(閃光燈和二極管激光泵浦)的Q開關，無需腔內聚焦，可忽略激發(fā)態(tài)吸收，導致Q開關的對比度高，即初始與飽和吸收信號的比率高于10。
Cr：YAG晶體主要特點：
-500-1000 MW / cm2的高損傷閾值
-高穩(wěn)定化學性和可靠性
-導熱性好，壽命長
-緊湊型無源Q開關
-操作容易
Cr：YAG晶體主要應用：
-用于激光測距儀，LIDAR和LIBS系統(tǒng)的無源調Q激光器
-需要短脈沖的激光系統(tǒng)。
Cr：YAG晶體技術特性：
| 晶體結構 | 立方體 |
| 密度 | 4，56克/厘米3 |
| 熱膨脹系數(shù) | 6.14×10-6 K-1 |
| 熱導率 | 11，2 Wm-1K-1 |
| 莫氏硬度 | 8,2 |
| 折射率 | 1,82@1064NM |
Cr：YAG晶體產(chǎn)品規(guī)格：
| 可用初始透射率 | 5-99%@1064 nm |
| 初始傳輸誤差 | ±1%(大于80%) |
| 通光孔徑 | >90% |
| 面尺寸公差 | +0/-0.1毫米 |
| 平行度誤差 | <10 arcsec |
| 垂直度誤差 | <10 arcmin |
| 保護槽 | <0,1 mm at 45? |
| AR膜層 | r<0，15%@1064 nm |
| 表面質量 | 10-5 S-D |
| 表面平整度 | <λ/8@6328 nm |
| 波前畸變 | <λ/4@632,8 |
| 激光損傷閾值 | >10 J/cm2@1064 nm，10 ns |
Cr：YAG晶體產(chǎn)品型號
| SKU | 面尺寸 | 初始傳輸 | 增透膜 | 價格 （RMB） |
| 7279 | ?3毫米 | 20% | AR/Ar@1064NM | 1900 |
| 7280 | ?3毫米 | 30% | AR/Ar@1064NM | 1900 |
| 7281 | ?3毫米 | 40% | AR/Ar@1064NM | 1900 |
| 7282 | ?3毫米 | 50% | AR/Ar@1064NM | 1900 |
| 7283 | ?3毫米 | 60% | AR/Ar@1064NM | 1900 |
| 7284 | ?3毫米 | 70% | AR/Ar@1064NM | 1900 |
| 7285 | ?3毫米 | 80% | AR/Ar@1064NM | 1900 |
| 7286 | ?3毫米 | 85% | AR/Ar@1064NM | 1900 |
| 7287 | ?3毫米 | 90% | AR/Ar@1064NM | 1900 |
| 7288 | ?3毫米 | 95% | AR/Ar@1064NM | 1900 |
| 7289 | ?3毫米 | 98% | AR/Ar@1064NM | 1900 |
| 7290 | 3x3毫米 | 20% | AR/Ar@1064NM | 1900 |
| 7291 | 3x3毫米 | 30% | AR/Ar@1064NM | 1900 |
| 7292 | 3x3毫米 | 40% | AR/Ar@1064NM | 1900 |
| 7293 | 3x3毫米 | 50% | AR/Ar@1064NM | 1900 |
| 7294 | 3x3毫米 | 60% | AR/Ar@1064NM | 1900 |
| 7295 | 3x3毫米 | 70% | AR/Ar@1064NM | 1900 |
| 7296 | 3x3毫米 | 80% | AR/Ar@1064NM | 1900 |
| 7297 | 3x3毫米 | 85% | AR/Ar@1064NM | 1900 |
| 7298 | 3x3毫米 | 90% | AR/Ar@1064NM | 1900 |
| 7299 | 3x3毫米 | 95% | AR/Ar@1064NM | 1900 |
| 7300 | 3x3毫米 | 98% | AR/Ar@1064NM | 1900 |
| 7301 | ?6 mm | 20% | AR/Ar@1064NM | 2150 |
| 7302 | ?6 mm | 30% | AR/Ar@1064NM | 2150 |
| 7303 | ?6 mm | 40% | AR/Ar@1064NM | 2150 |
| 7304 | ?6 mm | 50% | AR/Ar@1064NM | 2150 |
| 7305 | ?6 mm | 60% | AR/Ar@1064NM | 2150 |
| 7306 | ?6 mm | 70% | AR/Ar@1064NM | 2150 |
| 7307 | ?6 mm | 80% | AR/Ar@1064NM | 2150 |
| 7308 | ?6 mm | 85% | AR/Ar@1064NM | 2150 |
| 7309 | ?6 mm | 90% | AR/Ar@1064NM | 2150 |
| 7310 | ?6 mm | 95% | AR/Ar@1064NM | 2150 |
| 7311 | ?6 mm | 98% | AR/Ar@1064NM | 2150 |
V：YAG晶體主要特點：
-高基態(tài)吸收
-不明顯激發(fā)態(tài)吸收
-Q開關的高對比度
-良好的光學、力學和熱性能
-耐紫外線高損傷閾值(>500 mW/cm)2)
V：YAG晶體主要應用：
-用于激光測距儀、激光雷達和LIBS系統(tǒng)的被動調Q激光器
V：YAG晶體技術特性：
| 晶體結構 | 立方體 |
| 密度 | 4，56克/厘米3 |
| 熱膨脹系數(shù) | 6.14×10-6 K-1 |
| 熱導率 | 11，2 Wm-1K-1 |
| Mohs硬度 | 8,2 |
| 折射率 | 1,82@1064NM |
V：YAG晶體產(chǎn)品規(guī)格：
| 可用初始傳輸 | 30-98%@1340 nm |
| 初始傳輸誤差 | ±1%(大于80%) |
| 通光孔徑 | >90% |
| 面尺寸公差 | +0/-0，1毫米 |
| 平行度誤差 | <20 arcsec |
| 垂直度誤差 | <10 arcmin |
| 保護槽 | <0,1 mm at 45? |
| Ar涂層 | r<0，2%@1310-1360 nm |
| 表面質量 | 10-5 S-D |
| 表面平整度 | <λ/8@6328 nm |
| 波前畸變 | <λ/4@632,8 |
| 激光損傷閾值 | >10 J/cm2@1064 nm，10 ns |
V：YAG晶體產(chǎn)品型號：
| SKU | 面尺寸 | 初始傳輸 | 價格 （RMB） |
| 7312 | 3x3毫米 | 30% | 5100 |
| 7313 | 3x3毫米 | 40% | 5100 |
| 7314 | 3x3毫米 | 50% | 5100 |
| 7315 | 3x3毫米 | 60% | 5100 |
| 7316 | 3x3毫米 | 70% | 5100 |
| 7317 | 3x3毫米 | 80% | 5100 |
| 7318 | 3x3毫米 | 85% | 5100 |
| 7319 | 3x3毫米 | 90% | 5100 |
| 7320 | 3x3毫米 | 95% | 5100 |
| 7321 | ?5毫米 | 30% | 5100 |
| 7322 | ?5毫米 | 40% | 5100 |
| 7323 | ?5毫米 | 50% | 5100 |
| 7324 | ?5毫米 | 60% | 5100 |
| 7325 | ?5毫米 | 70% | 5100 |
| 7326 | ?5毫米 | 80% | 5100 |
| 7327 | ?5毫米 | 85% | 5100 |
| 7328 | ?5毫米 | 90% | 5100 |
| 7329 | ?5毫米 | 95% | 5100 |
Co:Spinel晶體的主要特點：
-1.3至1.6m范圍內的低光學損耗
-高光損傷閾值
Co:Spinel晶體的主要應用：
-無源Q開關Er：玻璃@1.54m
Co:Spinel晶體的技術特性：
| 晶體結構 | 立方體 |
| 密度 | 3，58克/厘米3 |
| 熱膨脹系數(shù) | 6,14×10-6 K-1 |
| 熱導率 | 17 Wm-1K-1 |
| Mohs硬度 | 8 |
| 折射率 | 1,6-1,75 |
Co:Spinel晶體的產(chǎn)品規(guī)格：
| 有效初裂 | 50-99%@1535 nm |
| 初始傳輸誤差 | ±1%(大于80%) |
| 有效孔徑 | >90% |
| 面尺寸公差 | +0/-0.1毫米 |
| 平行度誤差 | <20 arcsec |
| 垂直度誤差 | <10 arcmin |
| 保護槽 | <0,1 mm at 45? |
| AR膜層 | r<0.15%@1535 nm |
| 表面質量 | 20-10 S-D |
| 表面平整度 | <λ/8@6328 nm |
| 波前畸變 | <λ/4@632，8 nm，通過透明光圈 |
| 激光損傷閾值 | >8J/cm2@1535 nm，10 ns |
Co:Spinel晶體的產(chǎn)品型號：
| SKU | 面尺寸 | 初始傳輸 | 增透膜 | 價格 （RMB） |
| 7330 | 3x3毫米 | 70% | AR/Ar@1535NM | 4150 |
| 7331 | 3x3毫米 | 80% | AR/Ar@1535NM | 4150 |
| 7332 | 3x3毫米 | 85% | AR/Ar@1535NM | 4150 |
| 7333 | 3x3毫米 | 90% | AR/Ar@1535NM | 4150 |
| 7334 | 3x3毫米 | 92% | AR/Ar@1535NM | 4150 |
| 7335 | 3x3毫米 | 95% | AR/Ar@1535NM | 4150 |
| 7336 | 3x3毫米 | 97% | AR/Ar@1535NM | 4150 |
| 7337 | 5x5毫米 | 70% | AR/Ar@1535NM | 4600 |
| 7338 | 5x5毫米 | 80% | AR/Ar@1535NM | 4600 |
| 7339 | 5x5毫米 | 85% | AR/Ar@1535NM | 4600 |
| 7340 | 5x5毫米 | 90% | AR/Ar@1535NM | 4600 |
| 7341 | 5x5毫米 | 92% | AR/Ar@1535NM | 4600 |
| 7342 | 5x5毫米 | 95% | AR/Ar@1535NM | 4600 |
| 7343 | 5x5毫米 | 97% | AR/Ar@1535NM | 4600 |
| 7802 | 3x3毫米 | 98.5%@1522 nm | HT@976NM+HR@1522NM/HT@976NM+Ar@1522NM | 6400 |
