球形脈沖激光淀積系統（PLD）

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更新時間：2023-06-30 21:24:17瀏覽次數：177次

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  化學氣相沉積設備（PECVD等）

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沈陽科晶自動化設備有限公司

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產品簡介

球形脈沖激光淀積系統（PLD）

詳細介紹

產品簡介：該系統為球形脈沖激光淀積系統（PLD）工藝研發設備。脈沖激光沉積（Pulsed laser deposition, PLD），就是將激光聚焦于靶材上一個較小的面積，利用激光的高能量密度將部分靶材料蒸發甚至電離，使其能夠脫離靶材而向基底運動，進而在基底上沉積，從而形成薄膜的一種方式。在眾多的薄膜制備方法中，脈沖激光沉積技術的應用較為廣泛，可用來制備金屬、半導體、氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、硅化物、硫化物及氟化物等各種物質薄膜，甚至還用來制備一些難以合成的材料膜，如金剛石、立方氮化物膜等。

產品名稱

球形脈沖激光淀積系統（PLD）

安裝條件

1、環境溫度：10℃～35℃

2、相對濕度：不大于75%

3、供水：水壓0.2MPa～0.4MPa,水溫15℃～25℃

4、設備周圍環境整潔，空氣清潔，不應有可引起電器及其他金屬件表面腐蝕或引起金屬間導電的塵埃或氣體存在。

技術參數

1、系統采用真空室為球形結構，手動前開門
2、真空室組件及配備零部件全部采用優質不銹鋼材料制造（304），氬弧焊接，表面采用噴玻璃丸+電化學拋光鈍化處理配有可視觀察窗口真空有效尺寸為SΦ300mm
3、極限真空度：≤6.67x10^-⁵Pa (經烘烤除氣后，采用600L/S分子泵抽氣，前級采用8L/S)；系統真空檢漏漏率：≤5.0x10^-⁸Pa.l/S；系統從大氣開始抽氣到8.0x10^-⁴ Pa，40分鐘可達到；停泵關機12小時后真空度：≤5 Pa
4、樣品臺：樣品尺寸φ40mm，轉速5-30RPM，基片臺與轉靶距離40～90mm
5、樣品加熱加熱溫度：800℃，溫控精度：±1°C，采用控溫表進行控溫
6、四工位轉靶：每個靶位φ40mm,擋板只露出一個靶位，激光束要求打在最上面靶位，轉靶具有公轉、自轉功能
7、真空室內設置烘烤、照明、水壓報警裝置
8、MFC一路質量流量計控制進氣：0-100sccm