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型多入射角激光橢偏儀

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產(chǎn)品型號(hào)EMPRO

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更新時(shí)間:2022-12-30 18:24:51瀏覽次數(shù):296次

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

簡(jiǎn)要描述:EMPro是針對(duì)研發(fā)和質(zhì)量控制領(lǐng)域推出的型多入射角激光橢偏儀。

詳細(xì)介紹

EMPro是針對(duì)研發(fā)和質(zhì)量控制領(lǐng)域推出的型多入射角激光橢偏儀。
EMPro可在單入射角度或多入射角度下進(jìn)行高精度、高準(zhǔn)確性測(cè)量。可用于測(cè)量單層或多層納米薄膜樣品的膜層厚度、折射率n和消光系數(shù)k;也可用于同時(shí)測(cè)量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k;亦可用于實(shí)時(shí)測(cè)量快速變化的納米薄膜動(dòng)態(tài)生長(zhǎng)中膜層的厚度、折射率n和消光系數(shù)k。多入射角度設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了納米薄膜的厚度測(cè)量。
EMPro采用了量拓科技多項(xiàng)技術(shù)。

特點(diǎn):

  • 原子層量級(jí)的靈敏度
    的采樣方法、高穩(wěn)定的核心器件、高質(zhì)量的制造工藝實(shí)現(xiàn)并保證了能夠測(cè)量原子層量級(jí)的極薄納米薄膜,膜厚精度達(dá)到0.01nm,折射率精度達(dá)到0.0001。
  • 百毫秒量級(jí)的快速測(cè)量
    國(guó)際水準(zhǔn)的儀器設(shè)計(jì),在保證精度和準(zhǔn)確度的同時(shí),可在幾百毫秒內(nèi)快速完成一次測(cè)量,可滿足單原子膜層生長(zhǎng)的實(shí)時(shí)測(cè)量。
  • 簡(jiǎn)單方便的儀器操作
    用戶只需一個(gè)按鈕即可完成復(fù)雜的材料測(cè)量和分析過(guò)程,數(shù)據(jù)一鍵導(dǎo)出。豐富的模型庫(kù)、材料庫(kù)方便用戶進(jìn)行高級(jí)測(cè)量設(shè)置。

應(yīng)用:

  • EMPro適合于高精度要求的科研和工業(yè)產(chǎn)品環(huán)境中的新品研發(fā)或質(zhì)量控制。
  • EMPro可用于測(cè)量單層或多層納米薄膜層構(gòu)樣品的薄膜厚度、折射率n及消光系數(shù)k;可用于同時(shí)測(cè)量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k;可用于實(shí)時(shí)測(cè)量快速變化的納米薄膜的厚度、折射率n和消光系數(shù)k。
  • EMPro可應(yīng)用的納米薄膜領(lǐng)域包括:微電子、半導(dǎo)體、集成電路、顯示技術(shù)、太陽(yáng)電池、光學(xué)薄膜、生命科學(xué)、化學(xué)、電化學(xué)、磁介質(zhì)存儲(chǔ)、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等。可應(yīng)用的塊狀材料領(lǐng)域包括:固體(金屬、半導(dǎo)體、介質(zhì)等),或液體(純凈物或混合物)。

技術(shù)指標(biāo):

項(xiàng)目
技術(shù)指標(biāo)
儀器型號(hào)
EMPro31
激光波長(zhǎng)
632.8nm (He-Ne Laser)
膜厚測(cè)量重復(fù)性1)
0.01nm (對(duì)于平面Si基底上100nm的SiO2膜層)
折射率測(cè)量重復(fù)性(1)
1x10-4 (對(duì)于Si基底上100nm的SiO2膜層)
單次測(cè)量時(shí)間
與測(cè)量設(shè)置相關(guān),典型0.6s
結(jié)構(gòu)
PSCA(Δ在0°或180°附近時(shí)也具有的準(zhǔn)確度)
激光光束直徑
1mm
入射角度
40°-90°可手動(dòng)調(diào)節(jié),步進(jìn)5°
樣品方位調(diào)整
Z軸高度調(diào)節(jié):±6.5mm
二維俯仰調(diào)節(jié):±
樣品對(duì)準(zhǔn):光學(xué)自準(zhǔn)直和顯微對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)
樣品臺(tái)尺寸
平面樣品直徑可達(dá)Φ170mm
較大的膜層范圍
透明薄膜可達(dá)4000nm
吸收薄膜則與材料性質(zhì)相關(guān)
較大外形尺寸
887 x 332 x 552mm (入射角為90º時(shí))
儀器重量(凈重)
25Kg
選配件
水平XY軸調(diào)節(jié)平移臺(tái)
真空吸附泵
軟件
ETEM軟件:
l 中英文界面可選;
l 多個(gè)預(yù)設(shè)項(xiàng)目供快捷操作使用;
l 單角度測(cè)量/多角度測(cè)量操作和數(shù)據(jù)擬合;
l 方便的數(shù)據(jù)顯示、編輯和輸出
l 豐富的模型和材料數(shù)據(jù)庫(kù)支持

注:(1)測(cè)量重復(fù)性:是指對(duì)標(biāo)準(zhǔn)樣品上同一點(diǎn)、同一條件下連續(xù)測(cè)量25次所計(jì)算的標(biāo)準(zhǔn)差。

性能保證:

  • 高穩(wěn)定性的He-Ne激光光源、*的采樣方法以及低噪聲探測(cè)技術(shù),保證了高穩(wěn)定性和高準(zhǔn)確度
  • 高精度的光學(xué)自準(zhǔn)直系統(tǒng),保證了快速、高精度的樣品方位對(duì)準(zhǔn)
  • 穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、可靠的樣品方位對(duì)準(zhǔn),結(jié)合*的采樣技術(shù),保證了快速、穩(wěn)定測(cè)量
  • 分立式的多入射角選擇,可應(yīng)用于復(fù)雜樣品的折射率和厚度的測(cè)量
  • 一體化集成式的儀器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),使得系統(tǒng)操作簡(jiǎn)單、整體穩(wěn)定性提高,并節(jié)省空間
  • 一鍵式軟件設(shè)計(jì)以及豐富的物理模型庫(kù)和材料數(shù)據(jù)庫(kù),方便用戶使用

準(zhǔn)確度測(cè)試:

在入射角40°~85°范圍內(nèi)對(duì)Si基底上SiO2薄膜樣品橢偏角Psi和Delta測(cè)量值和理論擬合值如下圖所示:

可選配件:

  • NFS-SiO2/Si二氧化硅納米薄膜標(biāo)片
  • NFS-Si3N4/Si氮化硅納米薄膜標(biāo)片
  • VP01真空吸附泵
  • VP02真空吸附泵
  • 樣品池

關(guān)鍵詞:橢偏儀 電池

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