產品介紹：主要用于測量：亞納秒至微秒時域的瞬態吸收光譜，包括：基態漂白(GroundStateBleaching)、激發態吸收(ExcitedStateAbsorption)、系間竄越(Inter-systemCross)、三線態湮滅(Triplet-tripletannihilation)、三線態的生成與衰減(Raisetimeanddecaytime)等

詳細介紹

產品介紹：

主要用于測量：亞納秒至微秒時域的瞬態吸收光譜，包括：基態漂白 (GroundState Bleaching)、激發態吸收 (Excited State Absorption)、系間竄越 (Inter-system Cross)、三線態湮滅 (Triplet -triplet annihilation)、三線態的生成與衰減 (Raise time and decaytime)等；
籍此分析光化學、光生物學、光催化或光物理過程中的瞬態能量轉移、電子傳遞等信息。100 nJ(100 μW @1 kHz)低能量泵浦，對于有機光伏材料(OPV)、OLED、AIE材料的研究！350 - 2200 nm 波段，EOS的時間分辨率都是~1 ns。亞納秒脈沖白光激光作為探測光，2000 Hz探測頻率，CMOS光譜儀與探測光同步，采集~10⁸時域范圍3D光譜，要~20 - 60 min! 大光譜范圍：350 - 2200 nm，標配 350 - 950 nm，可探測到典型的鈣鈦礦材料能級躍遷（~1.5 eV）。探測光點~100μm，結合THS樣品架，可做微區掃描。可升級為漫反射(Diffused reflectance)瞬態吸收光譜儀，內置Kubelka–Munk方程計算光吸收，漫反射與透射可切換使用。我們可提供包含亞納秒激光器的系統解決方案，用于OPV、OLED、金屬有機配合物等材料的電子轉移、空穴復合等研究。

產品參數：

時間分辨率	<1 ns
最小延時步進	100 ps
時間窗口*	400 µs，1kHz 泵浦激光時
適合激光頻率	10 - 1000 Hz
探測波長	350 – 2200 nm （可選：450 - 2400 nm）
Vis檢測器	CMOS線陣列傳感器
數量	2
像素	1024
響應波長	200 - 1000 nm
分辨率	2 nm (50 µm 狹縫時)，4 nm (200 µm 狹縫時)
光譜范圍	600 nm (通常: 350 - 950 nm)
采集速度	2400 條光譜/s（可選：10,000 條光譜/s），14bit
NIR檢測器	InGaAs線陣列傳感器 (選配)
數量	2
像素	256
響應波長	800 - 1600 nm
分辨率	5 nm (50 µm 狹縫時)，13 nm (200 µm 狹縫時)
光譜范圍	800 nm (通常: 800 - 1600 nm)
采集速度	2400 條光譜/s（可選：10,000 條光譜/s），14bit
SWIR檢測器	InGaAs線陣列傳感器 (選配)
數量	2
像素	256
響應波長	1000 - 2600 nm
分辨率	5 nm (50 µm 狹縫時)，13 nm (200 µm 狹縫時)
光譜范圍	800 nm (可用: 1600 - 2200 nm)
采集速度	2400 條光譜/s，14bit
數據格式	ASCII CSV (兼容Excel)
數據采集軟件	EOS
數據分析軟件	Surface Xplorer
光學模塊體積 (長寬高)	915 X 610 X 250 mm³
電子模塊體積 (長寬高)	534 X 610 X 686 mm³