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北京金盛微納科技有限公司
參 考 價 | 面議 |
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更新時間:2022-12-12 16:29:38瀏覽次數(shù):465次
聯(lián)系我時,請告知來自 環(huán)保在線詳細描述本設備具有選擇比好,刻蝕速度快、重復性好等特點,它較RIE具有更好的綜合刻蝕效果且應用范圍更廣
詳細描述
本設備具有選擇比好,刻蝕速度快、重復性好等特點,它較RIE具有更好的綜合刻蝕效果且應用范圍更廣。可刻蝕的材料主要有Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4、W、Mo、GaN、GaAs等。
本設備主要用于微電子、光電子、通訊、微機等領(lǐng)域的器件研發(fā)和制造。
產(chǎn)品主要性能指標
型號 | ICP-2B |
真空系統(tǒng) | 分子泵機組 |
刻蝕室數(shù)量 | 單室 |
刻蝕室規(guī)格 | ?300×280mm |
電極尺寸 | ?200mm |
刻蝕材料 | Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4、W、Mo、GaN、GaAs等。 |
刻蝕速率 | ~4 μ/min (與刻蝕材料和工藝有關(guān)) |
刻蝕不均勻性 | ≤±5% |
深硅刻蝕控制單元 | 可選 |
操作方式 | 手動 |
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