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NIR-01-3D紅外探傷測試儀
NIR-01-3D型紅外探傷測試儀是采用歐洲CNC工程鋁合金材料,其表面都采用了高強度漆面和電氧化工藝保護,系統外框采用高質量工業設計,所有的部件的設計都達到了*高強度使用及zui小維護量的要求,做到的穩定性和耐用性。
技術特點:
■自動化程度更高,測試效果更好
■采用銦鎵砷傳感器,而非一般廠家采用固定值的模擬攝像管,具有硬件圖像校正和計算機參數控制的功能(包括亮度,伽馬,積分時間),其靈敏度好,探傷結果與實際情況*性佳。不需為不同尺寸的硅塊設置不同的硬件參數(探傷位置,聚焦點,校準)
■我們的軟件系統為不同硅塊的表面情況及尺寸提供設置菜單,沒有必要在硬件上進行設置(當然我們也可以從硬件上進行設置)。
■光源探照有效同質區域為300×330mm/550mm,我們采用了特殊擴散板材料,保證了在沒有圖像處理的情況也能確保成像質量。
■測試范圍更廣
■不僅可以探測標準尺寸的硅塊,而且可以探測任何尺寸的硅塊,沒有光源照射區域限制。
■也可直接對未拋光的硅塊進行直接探測。
■壽命更長
■紅外照相機3年免費保修或更換的承諾
■我們采用的是*的含有冷卻單元的工業級鍍金近紅外鹵管,保證了光源的持久耐用性,設備已經不采用普通鹵管設計,我們提供了強致冷卻單元,為設備的正常使用提供了足夠的冷卻單元,大大延長了儀器的使用壽命。
■所有的部件的設計都達到了*高強度使用及zui小維護量的要求
■即使在高照明的條件下,我們的相機傳感器也幾乎沒有退化的情況。
■有多年在歐洲生產銷售應用的經驗,產品具有優良的工業應用性。
■檢測更快
■檢測速度快,自動四面檢測< 1分鐘,快速兩面檢測<20秒,一面<5秒
■系統功能強大
■可定制硅塊縫合復原功能
■可定制硅塊尺寸測試模塊
■可根據客戶需求進行功能模塊定制,包括硅錠晶體生長情況進行工藝分析
■可定制在線生產模式
■可定制砷化鎵磷化銦等其他半導體材料的探傷檢測
■可定制中文操作系統界面
技術指標:
■主要探測指標:裂縫,黑點,夾雜(通常為SiC),隱裂,微晶
■硅塊電阻率:≥0.5Ohm*Cm(*)
■檢測時間:平均每個硅塊小于1分鐘,兩面小于20秒,一面小于5秒
■硅塊尺寸:210mmx210mmx420mm
■ 分辨率:320px*256px(zui早生產的產品)
640 px *512px(目前市場供應)
1280 px*1024px(2010年12月份批量生產)
2560 px*2048px(行業zui高,2011年1-3月份批量生產)
■ 旋轉臺
■采用單軸伺服電機
■zui大承載量:40kg
■具有過流保護以防止損傷和電機燒毀
■無步進損失,高分辨率解碼機器
■紅外光源
■高強度NIR鹵燈,273mm加熱波長
■功率:230V,1000W
■溫度:25-60攝氏度
■光強可通過軟件控制
■軟件具有過熱保護
■觀測儀
■采用紅外CCD控溫
■12位ADC
■頻率:60Hz和100Hz兩個選擇
■像素間距: 30μm
■可手動調節紅外鏡頭
■ 測試樣品
■測試硅塊尺寸:210mmx210mmx420mm
■一套硬件裝備可以檢測所有尺寸的硅塊
■適用于不同的表面質量和厚度的硅塊
■適用于拋光面和裸面,拋光面探測效果更佳
■電阻率:≥0.5Ohm*Cm(*)
■ 應用
■裂縫,黑點,夾雜(通常為SiC),隱裂,微晶
■ 軟件(基于WIN XP)
■可從四個方向進行自動取樣
■可快速進行樣塊的快速測量
■軟件會對探測結果進行評價
■可對檢測參數進行靈活設置
■可進行像素管理和圖像處理
■系統將對探測結果進行三維立體描繪
詳情咨詢:
北京合能陽光新能源技術有限公司
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