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當(dāng)前位置:廈門元航機(jī)械設(shè)備有限公司>>EMG>> cpc對中系統(tǒng) 控制單元 SGC1000/AE1034 EMG
產(chǎn)品型號
品 牌其他品牌
廠商性質(zhì)經(jīng)銷商
所 在 地廈門市
更新時間:2024-08-14 17:55:35瀏覽次數(shù):179次
聯(lián)系我時,請告知來自 環(huán)保在線EMG KLW 360.012 光源傳感器 現(xiàn)貨
KLM300/012 線性位移傳感器器 EMG 現(xiàn)貨
伺服放大器 EMG EVB 04 EMG 糾偏系統(tǒng)
左右尋邊頭 EVK2-CP/800.71/R EMG 對中裝置
材質(zhì) | 其他 | 驅(qū)動方式 | 其他 |
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cpc對中系統(tǒng) 控制單元 SGC1000/AE1034 EMG
控制單元(Control Unit)負(fù)責(zé)程序的流程管理。正如工廠的物流分配部門,控制單元是整個CPU的指揮控制中心,由指令寄存器IR(Instruction Register)、指令譯碼器ID(Instruction Decoder)和操作控制器OC(Operation Controller)三個部件組成,對協(xié)調(diào)整個電腦有序工作極為重要。
控制單元是實現(xiàn)一種或多種控制規(guī)律的控制儀表或控制部件。如:多路傳輸控制單元、代理設(shè)置控制單元。
cpc對中系統(tǒng) 控制單元 SGC1000/AE1034 EMG
cpc對中系統(tǒng) 控制單元 SGC1000/AE1034 C003001 VEC000001德國 EMG 220AC 50MA 含操作面板 DCU 02
電位計 EVK2-403 EMG
CPC控制板小 SGC1000-2.1 P/N:CA003008,8/N:90693
CPC控制主板大 SGC1000-2.2.P/N:CA003005.SH:10773
cpc對中系統(tǒng) 控制單元 SGC1000/AE1034 C003001 VEC000001德國 EMG 220AC
高頻光源發(fā)射器 LLS 1275/01EMG
EMG線性光源發(fā)射器 LID2-800.32C 備件號:C019006
對中光源1075
線性光源發(fā)射器LLS675/01
高頻光源LLS875/02
uS 675/11 Lchtband 品牌:EMG CPC光源
CPC光源 LLS 675/11 Lichtband 品牌:EMG
EMG對中線性光源發(fā)射器:LID2-800.2C元件編號:C019005
EMG線性光源發(fā)射器LLS875/01
EMG光源\LLS1075/01
線性光源發(fā)射器_EMG LLS 1075/01 24V DC/0, 7A
EMG高頻光源發(fā)射器LIC1075/11
光源/L1C770/01-24VDC/3.0A
無論哪一個種類的控制單元,原理均為通過控制單元發(fā)出的控制信號對CPU各個部分加以控制。控制單元大體可以分為以下兩類。
它根據(jù)用戶預(yù)先編好的程序,依次從存儲器中取出各條指令,放在指令寄存器IR中,通過指令譯碼(分析)確定應(yīng)該進(jìn)行什么操作,然后通過操作控制器OC,按確定的時序,向相應(yīng)的部件發(fā)出微操作控制信號。操作控制器OC中主要包括節(jié)拍脈沖發(fā)生器、控制矩陣、時鐘脈沖發(fā)生器、復(fù)位電路和啟停電路等控制邏輯。
EMG LS13.01測量光電傳感器
EVK2-CP/400.71/L/R EMG 傳感器
EVM2 CP/750.71/L/R傳感器 EMG
LS14.01 EMG 測量光電傳感器
EMG光電式測量傳感器 EVM2-CP/1850 71/L/R
EMG 高頻報警光發(fā)射器 LIH2/30/230.01
EMG LID2-800.2C 對中光源發(fā)射器
EMG LID2-300.2C 對中光源發(fā)射器
EMG LLS 1075 線性光源發(fā)射器
EMG LLS 1075/01 線性光源發(fā)射器
CPC光源 LLS 675/11 Lichtband
EMG LLS 875/02 線性光源發(fā)射器
EMG LLS 675/01 線性光源發(fā)射器
EMG 線性光源發(fā)射器 LLS875/01
EMG對中光源發(fā)射器 LIE 1075/230/50
EMG LLS 475/01 線性光源發(fā)射器
EMG LIC1075/11光源發(fā)射器
EMG 對中光源發(fā)射器 LIE 1075/230/50
EPC測量單元 EVK2-CP_600.71_L_R_A_Version_02
EMG 光源發(fā)射器 L1C770/01-24VDC/3.0A
EMG LPS600.01 光源發(fā)射器
EMG LIC770/01 光源發(fā)射器
EMG LIC1075/01 光源發(fā)射器
EMG LIC770/11 CPC高頻光源
EMG LID2-800.32C 對中光源發(fā)射器
EMG SV1-10/16/100/1/D 伺服閥
伺服閥 SERVOVENTIL SV1-06/05/210/5
1873年,英國W·史密斯發(fā)現(xiàn)硒的光電導(dǎo)效應(yīng),但是這種效應(yīng)長期處于探索研究階段,未獲實際應(yīng)用。第二次世界大戰(zhàn)以后,隨著半導(dǎo)體的發(fā)展,各種新的光電導(dǎo)材料不斷出現(xiàn)。在可見光波段方面,到二十世紀(jì)50年代中期,性能良好的硫化鎘、硒化鎘光敏電阻和紅外波段的硫化鉛光電探測器都已投入使用。二十世紀(jì)60年代初,中遠(yuǎn)紅外波段靈敏的Ge、Si摻雜光電導(dǎo)探測器研制成功,典型的例子是工作在3~5微米和8~14微米波段的Ge:Au(鍺摻金)和Ge:Hg光電導(dǎo)探測器。二十世紀(jì)60年代末以后,HgCdTe、PbSnTe等可變禁帶寬度的三元系材料的研究取得進(jìn)展。 工作原理和特性 光電導(dǎo)效應(yīng)是內(nèi)光電效應(yīng)的一種。當(dāng)照射的光子能量hv等于或大于半導(dǎo)體的禁帶寬度Eg時,光子能夠?qū)?/span>價帶中的電子激發(fā)到導(dǎo)帶,從而產(chǎn)生導(dǎo)電的電子、空穴對,這就是本征光電導(dǎo)效應(yīng)。這里h是普朗克常數(shù),v是光子頻率,Eg是材料的禁帶寬度(單位為電子伏)。因此,本征光電導(dǎo)體的響應(yīng)長波限λc為 λc=hc/Eg=1.24/Eg (μm) 式中 c為光速。本征光電導(dǎo)材料的長波限受禁帶寬度的限制。
工作溫度高(高于77K),使用方便,而Ge:Hg工作溫度為38K;本征吸收系數(shù)大,樣品尺寸小;易于制造多元器件。表1和表2分別列出部分半導(dǎo)體材料的Eg、Ei和λc值。
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