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cpc對中系統(tǒng) 控制單元 SGC1000/AE1034 EMG

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cpc對中系統(tǒng) 控制單元 SGC1000/AE1034 EMG
光電探測器能把光信號轉(zhuǎn)換為電信號。根據(jù)器件對輻射響應(yīng)的方式不同或者說器件工作的機(jī)理不同,光電探測器可分為兩大類:一類是光子探測器;另一類是熱探測器。

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控制單元(Control Unit)負(fù)責(zé)程序的流程管理。正如工廠的物流分配部門,控制單元是整個CPU的指揮控制中心,由指令寄存器IR(Instruction Register)、指令譯碼器ID(Instruction Decoder)和操作控制器OC(Operation Controller)三個部件組成,對協(xié)調(diào)整個電腦有序工作極為重要。

控制單元可以作為CPU的一部分,也可以安裝于CPU外部。
控制單元,英文Control Unit(CU),是CPU部件之一,有時也安裝于CPU外部。其基本功能是從內(nèi)存取指令、分析指令和執(zhí)行指令。

控制單元是實現(xiàn)一種或多種控制規(guī)律的控制儀表控制部件。如:多路傳輸控制單元代理設(shè)置控制單元

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CPC控制主板大 SGC1000-2.2.P/N:CA003005.SH:10773 

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無論哪一個種類的控制單元,原理均為通過控制單元發(fā)出的控制信號對CPU各個部分加以控制。控制單元大體可以分為以下兩類。

  • 微程序式,由微程序讀取和發(fā)出控制信號。通過被稱為微型定序器的簡單數(shù)字通路(微型電腦)對微程序加以執(zhí)行。 [1]
  • 硬件型控制單元。由數(shù)字通路直接發(fā)出控制信號。由于集成電路的規(guī)模化及設(shè)計技術(shù)的進(jìn)步,此種控制單元已成為可能。
  • 它根據(jù)用戶預(yù)先編好的程序,依次從存儲器中取出各條指令,放在指令寄存器IR中,通過指令譯碼(分析)確定應(yīng)該進(jìn)行什么操作,然后通過操作控制器OC,按確定的時序,向相應(yīng)的部件發(fā)出微操作控制信號操作控制器OC中主要包括節(jié)拍脈沖發(fā)生器、控制矩陣、時鐘脈沖發(fā)生器、復(fù)位電路和啟停電路等控制邏輯。


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EMG 高頻報警光發(fā)射器 LIH2/30/230.01

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EMG SV1-10/16/100/1/D 伺服閥

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1873年,英國W·史密斯發(fā)現(xiàn)硒的光電導(dǎo)效應(yīng),但是這種效應(yīng)長期處于探索研究階段,未獲實際應(yīng)用。第二次世界大戰(zhàn)以后,隨著半導(dǎo)體的發(fā)展,各種新的光電導(dǎo)材料不斷出現(xiàn)。在可見光波段方面,到二十世紀(jì)50年代中期,性能良好的硫化鎘硒化鎘光敏電阻和紅外波段的硫化鉛光電探測器都已投入使用。二十世紀(jì)60年代初,中遠(yuǎn)紅外波段靈敏的Ge、Si摻雜光電導(dǎo)探測器研制成功,典型的例子是工作在3~5微米和8~14微米波段的Ge:Au(鍺摻)和Ge:Hg光電導(dǎo)探測器。二十世紀(jì)60年代末以后,HgCdTe、PbSnTe等可變禁帶寬度三元系材料的研究取得進(jìn)展。 工作原理和特性 光電導(dǎo)效應(yīng)是內(nèi)光電效應(yīng)的一種。當(dāng)照射的光子能量hv等于或大于半導(dǎo)體的禁帶寬度Eg時,光子能夠?qū)?/span>價帶中的電子激發(fā)到導(dǎo)帶,從而產(chǎn)生導(dǎo)電的電子、空穴對,這就是本征光電導(dǎo)效應(yīng)。這里h是普朗克常數(shù),v是光子頻率,Eg是材料的禁帶寬度(單位為電子伏)。因此,本征光電導(dǎo)體的響應(yīng)長波限λc為 λc=hc/Eg=1.24/Eg (μm) 式中 c為光速。本征光電導(dǎo)材料的長波限受禁帶寬度的限制。

在60年代初以前還沒有研制出適用的窄禁帶寬度的半導(dǎo)體材料,因而人們利用非本征光電導(dǎo)效應(yīng)。Ge、Si等材料的禁帶中存在各種深度的雜質(zhì)能級,照射的光子能量只要等于或大于雜質(zhì)能級的離化能,就能夠產(chǎn)生光生自由電子或自由空穴。非本征光電導(dǎo)體的響應(yīng)長波限λ由下式求得: λc=1.24/Ei 式中Ei代表雜質(zhì)能級的離化能。到60年代中后期,Hg1-xCdxTe、PbxSn1-xTe、PbxSn1-xSe等三元系半導(dǎo)體材料研制成功,并進(jìn)入實用階段。它們的禁帶寬度隨組分x值而改變,例如x=0.2的HG0.8Cd0.2Te材料,可以制成響應(yīng)波長為 8~14微米大氣窗口的紅外探測器。它與工作在同樣波段的Ge:Hg探測器相比有如下優(yōu)點:

工作溫度高(高于77K),使用方便,而Ge:Hg工作溫度為38K;本征吸收系數(shù)大,樣品尺寸小;易于制造多元器件。表1和表2分別列出部分半導(dǎo)體材料的Eg、Ei和λc值。

EMG LLS 1275/01 高頻光源發(fā)射器LICHTBAND


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