以銅 (Cu) 濺射靶材為例.在制備銅濺射靶時,不可避免地會引入硫、鉛等其他雜質含量.微量的硫可以防止熱加工時晶粒尺寸增大或產生微裂紋;但當硫元素含量高于18 ppm時,會出現微裂紋;隨著兩種雜質元素(硫和鉛)，銅靶材鍍膜濺射儀KT-Z1650PVD為臺式磁控濺射鍍膜機，儀器結構緊湊，全自動控制，設計符合人體工程學，所得結果一致，可重復性高。

詳細介紹

銅靶材Cu target 鄭科探小型磁控濺射靶材鍍膜銅膜料顆粒銅

以銅 (Cu) 濺射靶材為例.在制備銅濺射靶時,不可避免地會引入硫、鉛等其他雜質含量.微量的硫可以防止熱加工時晶粒尺寸增大或產生微裂紋;但當硫元素含量高于18 ppm時,會出現微裂紋;隨著兩種雜質元素(硫和鉛)含量的增加,靶材裂紋的數量和電弧放電的數量會增加.因此,應盡可能降低靶材中的雜質含量,以提高薄膜的均勻性。

高純度銅靶材

銅靶材鍍膜濺射儀

應用領域：

離子濺射儀在掃描電鏡中應用十分廣泛，通過向樣品表面噴鍍金、鉑、鈀及混合靶材等金屬消除不導電樣品的荷電現象，并提高觀測效率，另外可以使用噴碳附件對樣品進行蒸碳，實現不導電樣品的能譜儀元素定性和半定量分析。

銅靶材鍍膜濺射儀KT-Z1650PVD廠家供應技術參數；

控制方式	7寸人機界面手動自動模式切換控制
濺射電源	直流濺射電源
鍍膜功能	0-999秒5段可變換功率及擋板位和樣品速度程序
功率	≤1000W
輸出電壓電流	電壓≤1000V 電流≤1A
真空	機械泵 ≤5Pa（5分鐘）分子泵≤5*10^-3Pa
濺射真空	≤30Pa
擋板類型	電控
真空腔室	石英+不銹鋼腔體φ160mm x 170mm
樣品臺	可旋轉φ62 （可安裝φ50基底）
樣品臺轉速	8轉/分鐘
樣品濺射源調節距離	40-105mm
真空測量	皮拉尼真空計（已安裝測量范圍10E5Pa 1E-1Pa）
預留真空接口	KF25抽氣口 KF16放氣口 6mm卡套進氣口