單晶圓清洗設備
• 沉積前清洗
• 蝕刻后清洗
• CMP后清洗
• RCA標準清洗
• W Loop后清洗
• Cu Loop后清洗
• 去除BEOL聚合物
• 深層Trench/Via清洗
• 薄膜去除
• TSV后清洗
• EPI前清洗
• ALD前清洗
主要優勢和特性規格（Ultra C II & Ultra C V & Ultra C VI）
可配8腔體，12腔體和18腔體，產能可達225片/小時,375片/小時和800片/小時
具有雙面清洗的能力，最多可配至5種清洗藥液，如：DHF, DSP+, f-DIW, FOM, SC1, SC2, DIO3, ST250, EKC580, NE111, IPA或配方藥液；集成式藥液供給模塊
最多可回收2種藥液，低COO
可選配常溫IPA或者高溫IPA增強型干燥技術
可選配氮氣霧化DIW二流體清洗或氮氣霧化SC1二流體清洗來輔助去除顆兆聲波技術進行平坦表面或深孔結構中的濕兆聲波技術對圖形片來進行高效無損傷清洗
設備尺寸：Ultra C II 2.35m x 5.53m x 2.85m, Ultra C V 2.35m x 6.7m x 2.85m, Ultra C VI 2.35米×6.30米×2.85米 (寬×長×高)
