邊緣濕法刻蝕設備
主要優勢
用于晶圓邊緣多種不同疊加薄膜層的刻蝕清洗,提高先進工藝的晶圓邊緣良率
高刻蝕精度,刻蝕寬度大小可調
自主技術可做到更精準高效的晶圓對準,控制精度高、均勻性高,可實現精準邊緣刻蝕
高產能,低化學品消耗
設備和工藝可擴展至10nm以下工藝技術節點
對下層材料刻蝕具有高選擇比,對晶圓無損傷的特點
出色的晶圓邊緣清洗能力,更好的顆粒控制
可靈活應用于多種襯底材料,包括重摻雜片、Bonding 片、超薄片等
特性和規格
適用于12寸晶圓邊緣清洗
最多可配置4個Lord Port
可配置12個工藝腔體
真空夾盤對晶圓進行夾持
可對晶圓正背面邊緣進行清洗,最多可配備5種藥液進行清洗工藝
每個腔體均配置高精度的晶圓對中單元
可配置高精度的晶圓邊緣檢測單元