MDPspot W

包括一個額外的電阻率測量選項。測量硅的電阻率，可用于沒有高度調節可能性的晶圓，或晶磚。必須預先定義這兩個選項中的一個。

特點：        

◇  無接觸無破壞的電學半導體特性        

◇  包括μ-PCD測量選項        

◇  對迄今為止看不見的缺陷的可視化和外延層的研究具有的靈敏度        

◇  集成多達四個激光器，用于寬的注入水平范圍

◇  獲取單次瞬變的原始數據以及用于特殊評估目的的地圖         

技術規格:   

優點：        

◇  臺式裝置，用于載流子壽命的單點測量，多晶硅或單晶硅在不同的制備階段，從原生材料到器件。        

◇  體積小，成本低，使用方便。附帶一個基本的軟件，用于在小型PC或筆記本上進行結果可視化。        

◇  適用于硅片到磚，操作高度調節方便。

細節：        

◇  允許單晶圓片調查        

◇  不同的晶圓級有不同的配方        

◇  監控物料、工藝質量和穩定性      

附加選項：

◇  光斑大小變化

◇  電阻率測量(晶片)

◇  背景/偏置光

◇  反射測量(MDP)

◇  軟件擴展

◇  額外的激光器選配

MDPspot 應用：

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