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技術干貨|功率場效應管過壓失效機理及典型特征分析2024/09/18
失效分析最常觀察到的現象是EOS過電失效，分為過壓失效及過流失效的兩種失效模式。對于以功率器件為代表的EOS過電失效樣品，其失效表征往往表現為芯片的大面積熔融，導致難以進一步判定其失效模式。本文以常規MOS、IGBT場效應管為例，從芯片內部結構進行分析和明確過壓擊穿容易出現的失效位置及機理解釋。承壓結構分析根據芯片結構圖示，可見芯片關閉時，承受偏壓的結構主要包括柵氧、PN交界面(橙色箭頭分布區域)。不同承壓位置分析1、元胞區柵氧與PN交界面耐壓分析分析單個元胞，可見承壓主要由N-區耗盡層承擔。耗
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