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北京卓立漢光儀器有限公司

光譜儀、光譜測(cè)量系統(tǒng)、太陽電池檢測(cè)系統(tǒng)、LED測(cè)量?jī)x器、電控精密位移臺(tái)、手動(dòng)精密位移臺(tái)、光學(xué)調(diào)整架、光學(xué)平臺(tái)、光學(xué)元件

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北京卓立漢光儀器有限公司>>光電模組>> 常溫型銦鎵砷探測(cè)器
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常溫型銦鎵砷探測(cè)器

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  • 北京卓立漢光儀器有限公司
  • 2022-10-13 13:41:06
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【簡(jiǎn)單介紹】

常溫及TE制冷型近紅外探測(cè)器,使用范圍:0.8-2.6m

【詳細(xì)說明】

產(chǎn)品概述

常溫型銦鎵砷探測(cè)器(常溫型InGaAs探測(cè)器)

●  DInGaAs1650型內(nèi)裝國產(chǎn)InGaAs元件
●  DInGaAs1700-R03M型內(nèi)裝進(jìn)口InGaAs元件
●  DInGaAs2600-R03M型內(nèi)裝進(jìn)口大面積InGaAs元件


光譜響應(yīng)度曲線參考圖

常溫型銦鎵砷探測(cè)器型號(hào)列表及主要技術(shù)指標(biāo):
  型號(hào)/參數(shù) DInGaAs1650 DInGaAs1700-R03M DInGaAs2600-R03M
光敏面直徑(mm) 3 3 3
波長(zhǎng)范圍(nm) 800-1700 800-1700 800-2600
峰值響應(yīng)度(A/W, *小) 0.85 0.9 1.1
暗電流(nA, *大) 200 100 1mA
D*(典型值) - 2.3×1012 4.1×1010
NEP(典型值) - 1.2×10-13 6.5×10-12
阻抗(MΩ) 1 1.5 320Ω
電容(pF) 1500 800 9000
響應(yīng)時(shí)間(ns) 160 100 1μs
信號(hào)輸出模式 電流 電流 電流
輸出信號(hào)極性 正(P) 正(P) 正(P)
    
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