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獵戶座3100系統：完善的空氣分子污染物監測系統

實時監測空氣分子污染（AMC ）對于半導體生產過程極為重要。

快速監測、報警、極低濃度測量、寬測量區域、多氣體的高靈敏響應等是半導體工業要求之一。深紫外光刻工藝特別關注氨、胺類、N-甲基毗咯烷酮NMP、酸類等濃度測量，當這些氣體與化學放大光刻膠反生反應 時，將深深的影響半導體器件質量。

傳統古老的方法多采用間接測量分析方法。包括撞擊濾塵器、離子色譜、化學熒光法，這些方法分析速度太慢，操作過程太復雜，昂貴并且測量結果不精確。

CEAS （腔增強吸收光譜）---原理

基于CEAS（腔增強吸收光譜）技術的儀器原理圖，使用近紅外波段光進行高靈敏度吸收測量，測量腔室由一組高反射率多次反射鏡片組成的柱狀體構成，激光束經過固態校準器（FSR=2.00GHz）時會測量得到相對激光波長。為了保證清晰度，忽略了原本照射到左側測量單元腔鏡外的光束。