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費斯托FESTO光電式傳感器熱賣，費斯托光電式傳感器介紹：
FESTO光電式傳感器的制造工藝也隨薄膜工藝、平面工藝和大規(guī)模集成電路技術的發(fā)展而達到很高的水平，并使產品的成本大為降低。被稱為新一代攝像器件的聚焦平面集成光敏陣列正在取代傳統(tǒng)的掃描攝像系統(tǒng)。光電式傳感器的發(fā)展方向是采用有機化學汽相沉積、分子束外延、單分子膜生長等新技術和異質結等新工藝。光電式傳感器的應用領域已擴大到紡織、造紙、印刷、、環(huán)境保護等領域。在紅外探測、輻射測量、光纖通信，自動控制等傳統(tǒng)應用領域的研究也有新發(fā)展。例如，硅光電二極管自校準技術的提出為光輻射的測量提供了一種很有前途的新方法。
FESTO光電效應又分為光電導效應和光生伏打效應兩類。光電導效應是指，半導體材料在光照下禁帶中的電子受到能量不低于禁帶寬度的光子的激發(fā)而躍遷到導帶，從而增加電導率的現象。能量對應于禁帶寬度的光子的波長稱光電導效應的臨界波長。光生伏打效應是指光線作用能使半導體材料產生一定方向電動勢的現象。光生伏打效應又可分為勢壘效應（結光電效應）和側向光電效應。勢壘效應的機理是在金屬和半導體的接觸區(qū)(或在PN結)中，電子受光子的激發(fā)脫離勢壘（或禁帶）的束縛而產生電子空穴對，在阻擋層內電場的作用下電子移向 N區(qū)外側，空穴移向 P區(qū)外側，形成光生電動勢。側向光電效應是當光電器件敏感面受光照不均勻時，受光激發(fā)而產生的電子空穴對的濃度也不均勻，電子向未被照射部分擴散，引起光照部分帶正電、未被光照部分帶負電的一種現象。 分類 基于外光電效應的光電敏感器件有光電管和光電倍增管。
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，費斯托光電式傳感器常用型號選型參考：
174548 電感式傳感器 SIES-Q5B-NO-K-L
174549 電感式傳感器 SIES-Q5B-PO-K-L
174550 電感式傳感器 SIES-Q8B-NO-K-L
174551 電感式傳感器 SIES-Q8B-NO-S-L
174552 電感式傳感器 SIES-Q8B-PO-K-L
174553 電感式傳感器 SIES-Q8B-PO-S-L
SOEG-RTH-M18W-PS-K-2L  漫反射光傳感器 537688     
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SOEG-RTH-Q50-NA-K-3L  漫反射光傳感器 537772     
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SOEG-RT-M12-NS-K-2L  漫反射光傳感器 547906     
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SOEG-RT-Q30-NS-K-2L  漫反射光傳感器 165348     
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SOEG-RTZ-4-NS-K-L  漫反射光傳感器 537675     
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SOEL-RSP-Q20-NP-K-2L-TI  對射式傳感器 537762     
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SOEL-RTD-Q50-PU-S-2L-20  距離傳感器 549315     
SOEL-RTD-Q50-PU-S-2L-40  距離傳感器 549316     
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SOEL-RT-Q20-PP-S-2L-TI  漫反射光傳感器 537735