Post-CMP清洗設備
主要優勢
在CMP步驟之后,需要在低溫下使用稀釋的化學品進行物理預清洗工藝,以減少顆粒數量。盛美上海的Post-CMP清洗設備能夠滿足這些要求,并提供多種配置,包括盛美上海自主研發的 Smart MegasonixTM先進清洗技術。
特性和規格(Ultra C WPN(WIDO))
在線預清洗設備:
可實現37納米以下少于15個剩余顆粒或28納米以下
20-25個剩余顆粒
金屬污染可控制在1E+8(原子/平方厘米)以內
當配置4個腔體的時候,產能可達每小時35片晶圓
離線預清洗設備:
可實現37納米以下少于15個剩余顆粒或28納米以下
20-25個剩余顆粒
占地面積小
特性和規格(Ultra C WPN(DIDO))
可配置四個裝載端口
占地面積小
可配置四或六個腔體,分別為兩個軟刷和兩個清洗腔體或兩個軟刷和四個清洗腔體
可實現37納米以下少于15個剩余顆粒或28納米以下20-25個剩余顆粒
產能可達每小時60片晶圓