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目錄:盛美半導體設備(上海)股份有限公司>>晶圓制造>> Post-CMP清洗設備

Post-CMP清洗設備
  • Post-CMP清洗設備
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具體成交價以合同協議為準
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更新時間:2023-08-12 07:33:07瀏覽次數:1201評價

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盛美上海的Post-CMP設備用于制造高質量襯底化學機械研磨(CMP)工藝之后的清洗,有濕進干出(WIDO)和干進干出(DIDO)兩種配置。該清洗設備6英寸和8英寸的配置適用于碳化硅(SiC)襯底制造;8英寸和12英寸配置適用于硅片制造。

Post-CMP清洗設備

  

主要優勢

在CMP步驟之后,需要在低溫下使用稀釋的化學品進行物理預清洗工藝,以減少顆粒數量。盛美上海的Post-CMP清洗設備能夠滿足這些要求,并提供多種配置,包括盛美上海自主研發的 Smart MegasonixTM先進清洗技術。
 


特性和規格(Ultra C WPN(WIDO))

在線預清洗設備:
    可實現37納米以下少于15個剩余顆粒或28納米以下
    20-25個剩余顆粒
    金屬污染可控制在1E+8(原子/平方厘米)以內
    當配置4個腔體的時候,產能可達每小時35片晶圓

 

離線預清洗設備:
    可實現37納米以下少于15個剩余顆粒或28納米以下
    20-25個剩余顆粒
    占地面積小




特性和規格(Ultra C WPN(DIDO))

可配置四個裝載端口

占地面積小

可配置四或六個腔體,分別為兩個軟刷和兩個清洗腔體或兩個軟刷和四個清洗腔體

可實現37納米以下少于15個剩余顆粒或28納米以下20-25個剩余顆粒

產能可達每小時60片晶圓

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