邊緣濕法刻蝕設備 參考價：面議
盛美上海的邊緣濕法刻蝕設備支持多種器件和工藝，包括3D NAND、DRAM和先進邏輯工藝，使用濕法刻蝕方法來去除晶圓邊緣的各種電介質、金屬和有機材料薄膜，以及顆...
前道涂膠顯影設備 參考價：面議
盛美上海的前道涂膠顯影設備支持Arf工藝，未來可拓展至i-line、KrF等光刻工藝，可滿足半導體集成電路制造商的光刻工藝需求。
PECVD設備 參考價：面議
盛美上海的等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）設備可應用于SiO2, SiNx, Carbon，NDC薄膜沉積工藝， 未來可以擴展至單片式PEALD薄膜沉積工...
Post-CMP清洗設備 參考價：面議
盛美上海的Post-CMP設備用于制造高質量襯底化學機械研磨(CMP)工藝之后的清洗，有濕進干出（WIDO）和干進干出（DIDO）兩種配置。該清洗設備6英寸和8...
濕法去膠設備-石灰石-石膏濕法 參考價：面議
盛美的半導體濕法去膠設備專為高效便捷的光刻膠（PR）剝離清洗應用而設計。
電鍍設備 參考價：面議
盛美半導體先進封裝電鍍設備可應用于多通道先進封裝的關鍵電鍍步驟，包括pillar, bump和 RDL。該電鍍設備也可運用于fan-out, TSV (Thro...
單晶圓清洗設備 參考價：面議
盛美的Ultra C單晶圓清洗系列可廣泛應用于先進集成電路制造中多種前段工藝（FEOL）和后段工藝（BEOL）,可跟據不同應用配備不同化學藥液與輔助清洗方式，也...
背面清洗設備 參考價：面議
盛美的背面清洗設備可用于晶圓背面清洗或者濕法刻蝕工藝， 同時通過伯努利夾盤為晶圓背面提供氮氣保護。 該設備可廣泛應用于集成電路制造和晶圓級封裝領域。
SAPS兆聲波清洗設備 參考價：面議
盛美*技術——空間交變相位移(SAPS™)技術，通過控制兆聲波清洗裝置與晶圓的間距隨兆聲波相位的變化，來實現兆聲波在晶圓表面的均勻分布，以達到化的清...
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