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Reactive Ion Etcher (RIE)反應式離子刻蝕機/ICP感應耦合反應離子刻蝕機

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更新時間:2022-12-21 16:04:58瀏覽次數:970次

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產品簡介

一體型機臺,結構緊湊,整機占地空間900mm*1100mm~800mm*1560mm

詳細介紹

一體型機臺,結構緊湊,整機占地空間900mm*1100mm ~ 800mm*1560mm;

基于工控機的控制方案,自主開發的全自動控制系統,可高度定制化;


特點:

● 一體型機臺,結構緊湊,整機占地空間900mm*1100mm ~ 800mm*1560mm;
● 基于工控機的控制方案,自主開發的全自動控制系統,可高度定制化;
● 機臺配置靈活,可作為專用刻蝕機臺也可以用于多用途刻蝕機臺;
● 模塊化設計,維護與升級極其方便;
● 工藝性能*穩定。

主要技術性能指標:

● 樣片尺寸:2英寸及以下小尺寸碎片和非晶圓樣品、4英寸晶圓、4~6英寸晶圓、8英寸晶圓(可定制12英寸);
● BRF功率源: 300W/500W可調,13.56MHZ;500W/1,000W可調,13.56MHZ;1,000W/2,000W可調,13.56 & 27MHZ;
● 氣體種類: RIE: O2,Ar,CF4,SF6,CHF3(標配三路氣體);ICP:H2,CH4,O2,N2,Ar,SF6,CF4,CHF3,C4F8,NF3,NH3,C2F6等;
● 氣體流量控制:MFC;
● 樣片控溫: RIE 10℃~室溫,ICP控溫精度±1℃; -30°C~100°C/200/°C定制;
● 控制系統:工控機,板卡結構;全自動(可定制);
● 交互界面:觸摸屏;
● 蝕刻材料:RIE: 硅、二氧化硅、石英、氮化硅、有機材料;ICP:硅基材料、金屬材料、有機材料、三五族和二六族化合物、陶瓷材料等。

主要應用:

● 芯片失效分析去層蝕刻(RIE/ICP);
● 光電子三五族材料蝕刻(ICP);
● 深硅蝕刻和圖形加工(ICP);
● 光刻膠等有機物殘留去除(ICP)。

型號:SHL FA100P-RIE/ SHL FA150E-RIE/ SHL200-ICP/ SHL200S-ICP/ SHL200C-ICP/ SHL200D-ICP

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